SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3 产品概述

产品简介

SISA14DN-T1-GE3是VISHAY推出的一款高性能N通道MOSFET（场效应管），采用先进的PowerPAK® 1212-8封装技术，专为高效能应用设计。本产品具备出色的电气特性，适合用于多种高频开关电源、DC-DC变换器以及电动汽车、消费电子等领域的功率管理。

关键参数

• FET 类型：N 通道MOSFET
• 漏源电压 (Vdss)：30V
• 连续漏极电流 (Id)：在25°C环境温度下，最大值为20A（考虑到结温的影响）
• 驱动电压：该MOSFET支持4.5V至10V的驱动电压，从而实现不同状态下的导通电阻，确保在各种工作条件下的稳定性
• 导通电阻 (Rds On)：在10A和10V Vgs下，最大导通电阻为5.1毫欧，显示出优异的电流传导能力
• 阈值电压 (Vgs(th))：最大值为2.2V（@250µA），确保快速启动与关断
• 栅极电荷 (Qg)：在10V时，最大值为29nC，这意味着该MOSFET可以在较低的驱动功耗下实现快速开关
• 输入电容 (Ciss)：在15V时，最大输入电容为1450pF，提供良好的频率响应与信号稳定性
• 温度范围：工作温度范围为-55°C到150°C，适用于极端环境条件
• 功率耗散：在环境温度条件下最大功率耗散为3.57W（Ta），而在结温条件下最大功率耗散为26.5W（Tc），确保高效率传输

封装特性

SISA14DN-T1-GE3采用了PowerPAK® 1212-8封装，具有较小的占用面积与增强的热管理能力。此封装设计有效提高了散热性能，适合高功率应用，同时体积小，便于在空间受限的电路中使用。

应用场景

1. 开关电源（SMPS）：适用于各种开关电源拓扑结构，以减少能源损耗并提高效率。
2. DC-DC变换器：能用于降压、升压和反向变换等电路，提供高效能电源解决方案。
3. 电动汽车（EV）：在电动汽车的驱动控制域中，提供稳定的电源管理。
4. 工业自动化：用作电机驱动和控制应用，确保设备性能稳定。
5. 消费电子：广泛应用于小型家电、移动设备及计算设备等，帮助提高稳态与动态性能。

性能优势

SISA14DN-T1-GE3在多项关键性能指标上具有优势，例如低导通电阻、高阈值电压和宽工作温度范围。这些特点使得产品在高频、高效率的电源转换中表现出色，帮助降低系统的整体功耗。此外，PowerPAK®封装的低热阻特性显著提升了产品的散热能力，降低了系统的热性能风险。

总结

总之，SISA14DN-T1-GE3凭借其卓越的电气性能、优异的热管理能力及适用广泛的应用场景，成为了现代高效电源设计中不可或缺的重要元件。无论是在工业领域还是消费市场，此款MOSFET都展示了其在功率管理中的巨大潜力，是设计工程师寻求性能与效率的理想选择。