IRFR9110TRPBF 产品实物图片
IRFR9110TRPBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFR9110TRPBF

商品编码: BM0000225869
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-252-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.528g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W;25W 100V 3.1A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
1624(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
3.18
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.18
--
100+
¥2.64
--
1000+
¥2.41
--
2000+
¥2.31
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFR9110TRPBF参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)2A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@10V,1.9A
功率(Pd)25W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.7nC@10V输入电容(Ciss@Vds)200pF
反向传输电容(Crss@Vds)18pF@25V工作温度-55℃~+150℃

IRFR9110TRPBF手册

IRFR9110TRPBF概述

IRFR9110TRPBF 产品概述

引言

IRFR9110TRPBF 是一款高性能的 P 型沟道金属氧化物场效应管 (MOSFET),由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)出品。这款 FET 具备优秀的电气性能和广泛的应用场合,特别适合在高电压、低电流及要求高效率的电源管理与开关控制中使用。

主要参数

  1. FET 类型: P通道 MOSFET
  2. 漏源电压 (Vdss): 100V
  3. 连续漏极电流 (Id): 3.1A @ 25°C(Tc)
  4. 最大 Rds(on) 导通电阻: 1.2 欧姆,工作电流 1.9A,栅极驱动电压 10V
  5. 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 4V,@ 250µA
  6. 栅极电荷 (Qg): 最大值 8.7 nC,@ 10V
  7. 输入电容 (Ciss): 最大值 200pF @ 25V
  8. 功率耗散: 最大 2.5W(环境温度 Ta),25W(结温 Tc)
  9. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  10. 封装类型: TO-252-3 D-Pak

结构特征

IRFR9110TRPBF 是一种表面贴装型(SMD)的元件,内置于 TO-252 封装中,这种封装形式不仅使其在安装时方便快捷,同时也有利于热管理。其设计考虑到散热效能,具有良好的功率处理能力,特别在需要频繁开关的电路中表现出色。

性能优势

  • 高压耐受性: 最高可承受 100V 的漏源电压,使其非常适合于电源电路及高压开关应用。
  • 低导通电阻: 最大 1.2 欧姆的导通电阻在相对较高的工作电流下,能够有效降低功耗,提升系统效率,减小热量产生。
  • 宽温操作范围: 工作温度可达到 -55°C 到 150°C,使其能够在各种极端条件下稳定运行,适用于工业控制、汽车电子等对环境要求相对苛刻的领域。

应用场景

IRFR9110TRPBF 适合用于各种现代电子设备,尤其在以下领域表现优异:

  • 开关电源: 高压和高效能的应用场合。
  • 电动机控制: 可以在电阻低、效率高的情况下驱动直流电机。
  • 逆变器: 在光伏发电和电动汽车等可再生能源应用中,能够有效转换和控制电源。
  • 负载开关: 用于高效的电源管理解决方案,控制大功率负载的启停。

结论

IRFR9110TRPBF 是一款优秀的 P 型 MOSFET,其出色的性能和广泛的温度适应范围使其在众多电子产品中 bulunabilir。无论是在高效的开关电源设计中,还是在电动机或逆变器等应用中,IRFR9110TRPBF 都能提供稳定而高效的性能。凭借其较低的导通电阻和优秀的散热能力,能够有效提升设备的整体效率与可靠性,是工程师们优秀的选择。