
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 200pF |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | P沟道 |
| 输出电容(Coss) | 94pF |
IRFR9110TRPBF 是一款高性能的 P 型沟道金属氧化物场效应管 (MOSFET),由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)出品。这款 FET 具备优秀的电气性能和广泛的应用场合,特别适合在高电压、低电流及要求高效率的电源管理与开关控制中使用。
IRFR9110TRPBF 是一种表面贴装型(SMD)的元件,内置于 TO-252 封装中,这种封装形式不仅使其在安装时方便快捷,同时也有利于热管理。其设计考虑到散热效能,具有良好的功率处理能力,特别在需要频繁开关的电路中表现出色。
IRFR9110TRPBF 适合用于各种现代电子设备,尤其在以下领域表现优异:
IRFR9110TRPBF 是一款优秀的 P 型 MOSFET,其出色的性能和广泛的温度适应范围使其在众多电子产品中 bulunabilir。无论是在高效的开关电源设计中,还是在电动机或逆变器等应用中,IRFR9110TRPBF 都能提供稳定而高效的性能。凭借其较低的导通电阻和优秀的散热能力,能够有效提升设备的整体效率与可靠性,是工程师们优秀的选择。