晶体管类型 | 2个NPN-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@5mA,10V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 500mV@0.1mA,5V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 1.1V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 150mV@5mA,0.5mA |
输入电阻 | 2.2kΩ | 电阻比率 | 21 |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
EMH60T2R 是一种高性能的数字双极晶体管,包含两个 NPN 预偏压式晶体管,适用于各种电子电路应用。这款产品的额定功率为150mW,具有最大集电极电流(Ic)为100mA,且工作电压可承受的集射极击穿(Vce)最大值为50V。EMH60T2R 的设计目标是满足现代电子设备对高效、紧凑且耐用元件的需求。
在特定的工作条件下,EMH60T2R 提供了优异的直流电流增益(hFE),其中在5mA和10V的条件下,最小增益可达到80。这意味着晶体管能够有效放大输入信号,适应各种信号处理应用。此外,Vce 饱和压降的最大值为150mV(在500µA和5mA时),有助于降低功耗并提高效率。
此型号具备高达250MHz的跃迁频率,使其非常适用于高频电子应用,包括RF(射频)和微波电路。这项特性确保了在信号传输过程中低的延迟和高效的信号处理能力。
EMH60T2R 采用 SOT-563 和 SOT-666 表面贴装型封装(EMT6),这种紧凑的封装提供了更高的集成度和更小的电路板占用面积,适合现代小型化电子产品需求。表面贴装式设计还简化了制造过程,提高了生产效率与可靠性。
凭借其优异的性能参数,EMH60T2R 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
EMH60T2R 是一款兼具高效能与小型化设计优势的先进数字晶体管,特别适合于需要低功耗、高频及高增益特性的现代电子应用。其优异的电流增益、饱和压降和频率特性,使得该产品在推动电子设备小型化与高效化方面具备重要价值,成为众多电子设计工程师的理想选择。选择 EMH60T2R,将有助于提升产品的整体性能与市场竞争力。