类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 18A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 125mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 30W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 39nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 940pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 30pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STF20NF20是一款高性能的N通道MOSFET,专为能够处理高电压和高电流而设计,具有200V的漏源电压(Vdss)和18A的连续漏极电流(Id)。该器件的典型应用包括电源开关、DC-DC转换器、马达驱动和其他需要高效功率传输的电路设计。同时,其优异的导通电阻和栅驱动特性,使其在高频开关和高效能系统中表现出色。
STF20NF20采用TO-220FP封装,便于散热和安装。TO-220是一个广泛使用的封装,适合于需要良好热管理的应用场合。其通孔安装设计使得ASICS和电源模块的集成变得更加便捷。
STF20NF20的竞争优势在于其高压和高效率,同时它的宽工作温度范围使得该器件能够适用于多种恶劣的工作环境。其低导通电阻和快速开关能力使得在提升电路的效率和减少热量生成方面均具有显著优势。此外,由于其制造商ST(意法半导体)在电子元件领域的良好声誉,用户在采购时可充分信赖其产品的质量与性能。
STF20NF20是一款出色的N通道MOSFET,结合了高电压、高电流能力与优异的热处理性能,非常适合各类高效能电源与驱动应用。凭借其高性价比、优秀的电气性能以及广泛的适用性,STF20NF20在现代电子设计中成为了理想选择。无论是工业应用还是消费者产品,这款MOSFET都能够帮助工程师们实现更高的性能和更低的能耗。