类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 120A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@10V,56A |
功率(Pd) | 98W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 130nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.15nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 330pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFR7446TRPBF 产品概述
一、产品简介
IRFR7446TRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种高效电源管理和开关应用。由英飞凌(Infineon)制造,该器件采用表面贴装型封装(TO-252-3或D-Pak),其优异的电气特性使其成为现代电子设计中的理想选择。此款MOSFET的关键参数,包括40V的漏源电压、最大56A的连续漏极电流以及高达98W的功率耗散能力,使其在功率领域中找到了广泛的应用。
二、技术规格
三、应用场景
IRFR7446TRPBF的广泛应用主要集中在以下几个领域:
四、优势特点
五、总结
IRFR7446TRPBF作为一款高效、性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其出色的电流和电压承载能力,广泛适用于各种电源管理和开关应用。英飞凌的技术和设计确保了该产品在激烈竞争市场中的领先地位。其适用的工作温度范围及低功耗特性,赋予其在汽车和工业自动化等领域的广泛适应性。通过选用IRFR7446TRPBF,工程师可以在保证性能的同时,实现更高的设计灵活性与功率效率。