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BSS7728NH6327XTSA2
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SOT-23-3
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 360mW 60V 200mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
1681(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
0.337按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.337
--
3000+
￥0.315
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
BSS7728NH6327XTSA2参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 26µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 56pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSS7728NH6327XTSA2手册
BSS7728NH6327XTSA2概述
产品概述：BSS7728NH6327XTSA2 N通道MOSFET
引言
随着电子产品的小型化和高性能需求的不断增加，MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）在各类应用中的重要性日益凸显。BSS7728NH6327XTSA2是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能N通道MOSFET，广泛应用于电源开关、线性调节器、电池管理系统等领域。该MOSFET于小型封装中提供卓越的电气性能，适合高效能的电子电路设计。
主要特性
组件类型： BSS7728NH6327XTSA2是一款N通道MOSFET，采用了较为成熟的金属氧化物技术，使其具有强大的导电性和良好的开关性能。
电气参数：
- 漏源电压（Vdss）： 60V，适用于具有高电压需求的应用。
- 连续漏极电流（Id）： 200mA（在25°C环境下），满足大多数小功率电路的需求。
- 最高导通电阻（Rds On）： 5Ω @ 500mA，10V，表明在导通状态下，设备具有较低的功率损耗。
- 阈值电压（Vgs(th)）： 最大值为2.3V @ 26µA，确保在较低的栅源电压下就能开始导通，适合低电压驱动应用。
栅极驱动：
- 驱动电压范围： 典型的门极驱动电压为4.5V，最大可达10V，支持多种推动信号的应用。
- 栅极电荷（Qg）： 最大值为1.5nC @ 10V，帮助降低开关损耗，提高开关频率。
输入电容（Ciss）：
- 输入电容最大值为56pF @ 25V，适合应用在高频电路中，确保快速响应时间，降低延迟。
热性能和功率耗散：
- 该MOSFET的功率耗散最高可达360mW（在Ta环境下），热管理能力强，有助于在高温环境下稳定工作。
温度范围：
- 工作温度范围为-55°C 至 150°C，适应多种恶劣环境条件下的应用需求。
封装和安装：
- BSS7728NH6327XTSA2采用SOT-23-3表面贴装型封装，具有小型化的特性，适合于高密度PCB布局，并简化自动化生产过程。
应用领域
由于其出色的性能，BSS7728NH6327XTSA2常被应用于多种电子设备，包括但不限于：
- 电源转换器：用于DC-DC转换、充电器、适配器等。
- 电池管理系统：在锂电池、超级电容等储能设备中控制充放电过程。
- 自动化和控制系统：用于驱动继电器和马达，实现低功耗控制。
- 消费电子产品：如音响、电视、智能家居设备等，广泛应用于各种小型和轻量设备中。
总结
BSS7728NH6327XTSA2是一款高性能的N通道MOSFET，结合英飞凌最新的技术成果，提供出色的电气特性和丰富的应用场景。它不仅确保高效能的电源管理，还能够在极端环境下保持稳定性能，是现代电子设计中不可或缺的关键元件。无论在消费电子、电源电子还是工业设备中，BSS7728NH6327XTSA2都可以为设计师提供稳定、高效的解决方案。