BSS7728NH6327XTSA2 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSS7728NH6327XTSA2

商品编码: BM0000231497
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 360mW 60V 200mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
1681(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.337
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.337
--
3000+
¥0.315
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS7728NH6327XTSA2参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 26µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)1.5nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)56pF @ 25V
功率耗散(最大值)360mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-23-3
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

BSS7728NH6327XTSA2手册

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BSS7728NH6327XTSA2概述

产品概述:BSS7728NH6327XTSA2 N通道MOSFET

引言

随着电子产品的小型化和高性能需求的不断增加,MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)在各类应用中的重要性日益凸显。BSS7728NH6327XTSA2是一款由英飞凌(Infineon)生产的高性能N通道MOSFET,广泛应用于电源开关、线性调节器、电池管理系统等领域。该MOSFET于小型封装中提供卓越的电气性能,适合高效能的电子电路设计。

主要特性

  1. 组件类型: BSS7728NH6327XTSA2是一款N通道MOSFET,采用了较为成熟的金属氧化物技术,使其具有强大的导电性和良好的开关性能。

  2. 电气参数:

    • 漏源电压(Vdss): 60V,适用于具有高电压需求的应用。
    • 连续漏极电流(Id): 200mA(在25°C环境下),满足大多数小功率电路的需求。
    • 最高导通电阻(Rds On): 5Ω @ 500mA,10V,表明在导通状态下,设备具有较低的功率损耗。
    • 阈值电压(Vgs(th)): 最大值为2.3V @ 26µA,确保在较低的栅源电压下就能开始导通,适合低电压驱动应用。
  3. 栅极驱动:

    • 驱动电压范围: 典型的门极驱动电压为4.5V,最大可达10V,支持多种推动信号的应用。
    • 栅极电荷(Qg): 最大值为1.5nC @ 10V,帮助降低开关损耗,提高开关频率。
  4. 输入电容(Ciss):

    • 输入电容最大值为56pF @ 25V,适合应用在高频电路中,确保快速响应时间,降低延迟。
  5. 热性能和功率耗散:

    • 该MOSFET的功率耗散最高可达360mW(在Ta环境下),热管理能力强,有助于在高温环境下稳定工作。
  6. 温度范围:

    • 工作温度范围为-55°C 至 150°C,适应多种恶劣环境条件下的应用需求。
  7. 封装和安装:

    • BSS7728NH6327XTSA2采用SOT-23-3表面贴装型封装,具有小型化的特性,适合于高密度PCB布局,并简化自动化生产过程。

应用领域

由于其出色的性能,BSS7728NH6327XTSA2常被应用于多种电子设备,包括但不限于:

  • 电源转换器:用于DC-DC转换、充电器、适配器等。
  • 电池管理系统:在锂电池、超级电容等储能设备中控制充放电过程。
  • 自动化和控制系统:用于驱动继电器和马达,实现低功耗控制。
  • 消费电子产品:如音响、电视、智能家居设备等,广泛应用于各种小型和轻量设备中。

总结

BSS7728NH6327XTSA2是一款高性能的N通道MOSFET,结合英飞凌最新的技术成果,提供出色的电气特性和丰富的应用场景。它不仅确保高效能的电源管理,还能够在极端环境下保持稳定性能,是现代电子设计中不可或缺的关键元件。无论在消费电子、电源电子还是工业设备中,BSS7728NH6327XTSA2都可以为设计师提供稳定、高效的解决方案。