FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 26µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.5nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 56pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 360mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
引言
随着电子产品的小型化和高性能需求的不断增加,MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)在各类应用中的重要性日益凸显。BSS7728NH6327XTSA2是一款由英飞凌(Infineon)生产的高性能N通道MOSFET,广泛应用于电源开关、线性调节器、电池管理系统等领域。该MOSFET于小型封装中提供卓越的电气性能,适合高效能的电子电路设计。
主要特性
组件类型: BSS7728NH6327XTSA2是一款N通道MOSFET,采用了较为成熟的金属氧化物技术,使其具有强大的导电性和良好的开关性能。
电气参数:
栅极驱动:
输入电容(Ciss):
热性能和功率耗散:
温度范围:
封装和安装:
应用领域
由于其出色的性能,BSS7728NH6327XTSA2常被应用于多种电子设备,包括但不限于:
总结
BSS7728NH6327XTSA2是一款高性能的N通道MOSFET,结合英飞凌最新的技术成果,提供出色的电气特性和丰富的应用场景。它不仅确保高效能的电源管理,还能够在极端环境下保持稳定性能,是现代电子设计中不可或缺的关键元件。无论在消费电子、电源电子还是工业设备中,BSS7728NH6327XTSA2都可以为设计师提供稳定、高效的解决方案。