类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id) | 20A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 30W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 35nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.44nF@100V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 2pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STF28N65M2是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其具备出色的性能指标,非常适合用于高电压应用,如开关电源、逆变器、灯具驱动和电机控制等。借助于650V的漏源电压(Vdss)和高达20A的连续漏极电流(Id),STF28N65M2能在多种苛刻的工作环境中提供可靠的性能。
漏源电压(Vdss): STF28N65M2的最大漏源电压为650V,使其能够适用于高电压应用场合,确保在高压工作条件下的稳定性与安全性。
连续漏极电流(Id): 在25°C的温度条件下,STF28N65M2的连续漏极电流达到20A(Tc),展现出其在满足高负载能力方面的优秀表现。
导通电阻(Rds(on)): 当Vgs施加为10V,并在10A的工作电流条件下,最大导通电阻为180毫欧。这一指标确保了在导通状态下的功率损耗最低,从而提高电源转换效率。
栅极阈值电压(Vgs(th)): STF28N65M2的栅极阈值电压最大为4V(@250µA),这意味着在较低的栅极驱动电压下即可实现MOSFET有效导通,便于与微控制器等低电压控制设备兼容。
栅极电荷(Qg): 最大栅极电荷为35nC(@10V),此参数表明该MOSFET在栅极驱动的快开与快关特性方面表现良好,适用于高频开关应用。
功率耗散(Pd): STF28N65M2在Tc下的最大功率耗散为30W,具有良好的散热性,适合配置于高功率电路中。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围高达150°C(TJ),具有极好的耐热性能,适合于恶劣环境和高温工作条件下长期运行。
封装形式: STF28N65M2采用TO-220FP封装,便于散热,具有良好的机械强度和适合多种安装方式的特性。这种封装形式非常适合高功率应用,使得散热效果更佳。
STF28N65M2适用于多种电源管理和转换硬件,包括但不限于:
STF28N65M2是一款性能卓越、应用广泛的N沟道MOSFET,具有650V的高压等级和高达20A的电流承载能力,适合于多种高电压和高功率的电子电路设计。借助其低导通电阻和快速开关特性,该器件确保了应用系统的高效率与可靠性,成为设计工程师在开发现代电力电子产品时的理想选择。无论是开关电源、逆变器还是电机驱动,STF28N65M2均能够轻松胜任,实现高效能和卓越的系统性能。