
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.5mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | N沟道 |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
产品名称: AOSP66923
类型: N沟道场效应管 (MOSFET)
封装类型: 8引脚 SO-8
额定功率: 3.1W
最高电压: 100V
最大电流: 12A
AOSP66923 是由 AOS (Alpha and Omega Semiconductor) 生产的一款高性能 N沟道 MOSFET。这种场效应管在电子电路中发挥着关键作用,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他功率管理领域。由于其较高的电流和电压特性,使得 AOSP66923 在高效能和高功率应用中展现出卓越的表现。
电气参数:
开关特性:
热管理:
栅极特性:
AOSP66923 广泛应用于以下几个领域:
开关电源:
电机驱动:
LED 驱动:
消费电子:
总之,AOSP66923 是一款性能优异的N沟道MOSFET,凭借其高电压、高电流及稳定的开关特性,适合各种需要高功率和高效率的应用。无论是在工业、消费电子还是高频电源等领域,AOSP66923 都能够为设计师提供可靠的解决方案。考虑到当前对高效能、高性能电子组件的需求,AOSP66923 不仅提升了产品的竞争力,更是现代高科技电路设计不可或缺的关键器件。