STP6N95K5

产品概述：STP6N95K5 N沟道MOSFET

STMicroelectronics推出的STP6N95K5是一款高性能的N通道金属氧化物场效应管（MOSFET），其在电力电子和功率管理应用中展现出卓越的性能特征。该产品属于其知名的SuperMESH5™系列，为半导体行业提供了更高的效率和可靠性。

主要特性

1. 高电流与电压额定值：

   • STP6N95K5设计的连续漏极电流可达9A（在自身温度条件下），并可以在高达950V的漏源电压下稳定工作，这使得它非常适合用于高压和高电流的应用场景。

2. 低导通电阻：

   • 导通电阻（Rds(on)）可达1.25Ω（在10V的栅极驱动下，电流为3A时），这一特性大幅降低了在导通状态时的功率损耗，提升了电路的整体效率。

3. 优越的散热能力：

   • 该器件的功率耗散能力高达90W（在适宜的散热条件下），并且其工作温度范围宽广，从-55°C 到 150°C，使其能够在苛刻的环境条件下可靠运行。

4. 栅极驱动电压：

   • 该器件的栅极开启电压（Vgs(th)）最大值为5V（在100µA时测得），并且Vgs的最大值能达到±30V，这为设计师提供了灵活性，可在多种驱动条件下工作。

5. 低输入电容：

   • 输入电容（Ciss）在100V时，最大值为450pF，这有助于在快速开关频率下保持低的开关损耗。

6. 小型封装：

   • STP6N95K5采用TO-220-3封装，适合通孔安装，提供了良好的散热性能，并为系统设计提供了简便的集成方式。

应用场景

STP6N95K5适用于多种行业和应用，包括但不限于：

• 开关电源：作为开关元件使用，提高能量转换效率。
• 电机驱动：在电动机控制电路中提供高效的电流控制。
• 电力转换器：在逆变器和升压/降压转换器中充当关键元件，以确保高效能量传输。
• 照明控制：用于LED驱动电路中，以实现高效的亮度调节和开关控制。
• 电池管理系统：在电池充放电过程中，提供精确的电流和电压控制。

结论

STP6N95K5是STMicroelectronics的一款高效能N沟道MOSFET，凭借其高电压、高电流及低导通电阻的特性，成为电力电子领域内功能强大且极具吸引力的解决方案。无论是在工业自动化、消费电子，还是可再生能源等多种应用中，STP6N95K5都能为设计师提供可靠的性能支持，助力其开发更高效、稳定的电源管理系统。其耐高温和高功率的特点，使其在苛刻环境下也能保证长期稳定工作，真正体现了STMicroelectronics致力于为客户提供创新、高质量电子元件的企业愿景。