类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 92A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.8mΩ@10V,40A |
功率(Pd) | 75W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.35V@25uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 23nC@15V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.139nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 199pF@15V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
基本信息
IRLB8748PBF是一款高性能的N通道MOSFET,专为高效能、低损耗的电子应用而设计。其采用TO-220AB封装,具备出色的热管理性能,非常适合在高温及高负载环境下工作。此器件由英飞凌(Infineon)制造,凭借其先进的制造工艺和高品质的材料,IRLB8748PBF在多个行业中得到了广泛的应用。
关键特性
应用场景
IRLB8748PBF因其优异的电性能,被广泛应用于电源管理、电机控制和开关稳压器等领域。其高电流处理能力和低导通电阻使其特别适合用于以下应用:
DC-DC转换器: 在高效率和高功率密度的DC-DC转换器中,IRLB8748PBF能够显著降低功耗,提高整体系统效率。
电动机驱动: 该MOSFET能够高效地控制电动机的开关,从而提升电动机的性能并减少热损耗,增强电动机的耐用性。
工业控制系统: 在各种工业自动化控制系统中,IRLB8748PBF能够提供可靠的电源开关解决方案,尤其是在负载变化频繁的场合。
UPS系统: 不间断电源(UPS)系统中用于转换和管理高压电源的应用,通过低导通电阻实现更低的能量损失和更高的系统效率。
总结
综合上述参数和应用,IRLB8748PBF是一个性能卓越的N通道MOSFET,适合多种电子应用,特别是在需要高电流和高效率的场合。通过选择IRLB8748PBF,设计师可以在确保系统性能的同时,也能控制功耗和提升可靠性。作为英飞凌的一款产品,其高质量与可靠性也为不同领域的用户提供了保障。如果您的设计需要一款性能优越且具有广泛适应性的MOSFET,IRLB8748PBF无疑是一个非常优质的选择。