STD25NF20参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 18A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 940pF |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 类型 | N沟道 |
| 输出电容(Coss) | 197pF |
STD25NF20手册
STD25NF20概述
产品概述:STD25NF20 N通道MOSFET
一、产品简介
STD25NF20 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。其具备优异的电气性能和宽广的工作温度范围,广泛应用于各种电子设备中,尤其是在功率控制、开关电源和电流驱动应用中。这款 MOSFET 的最大漏极源电压(Vdss)为 200V,连续漏极电流(Id)可达到 18A,确保了其在高压和大电流环境下的可靠工作。
二、技术特性
电气参数:
- 漏源电压(Vdss):最大 200V,使得该器件适合高电压应用。
- 连续漏极电流(Id):在 25°C 的环境下,最大可达 18A,确保了良好的负载能力。
- 导通电阻(Rds(on)):在 Vgs=10V 时,Rds(on) 最大值为 125 毫欧,能够有效降低功率损耗,提高系统效率。
电压特性:
- 驱动电压(Vgs):推荐工作驱动电压为 10V,确保了良好的开启特性,提供较小的导通电阻。
- 阈值电压(Vgs(th)):在 250µA 的测量条件下,最大 Vgs(th) 为 4V,保证了低电流应用时的可靠开启。
频率特性:
- 栅极电荷(Qg):在 Vgs=10V 时,Qg 的最大值为 39nC,说明在切换过程中所需驱动的功率较小,适合高频开关应用。
电容特性:
- 输入电容(Ciss):在 25V 的条件下,Ciss 的最大值为 940pF,确保了快速的开关响应能力。
功率和热特性:
- 功率耗散:该器件的最大功率耗散为 110W,适合高功率应用环境。
- 工作温度范围:在 -55°C 至 175°C 的温度范围内稳定工作,使其在极端环境下也能保持可靠性。
三、封装及安装
STD25NF20 采用 DPAK(TO-252-3)封装,具有良好的散热能力和可靠的表面贴装类型设计,适合现代电子设备的小型化需求。DPAK 封装的设计特点使元件易于焊接,适合自动化生产线,并且有助于降低生产成本。
四、应用领域
由于其优越的电气性能和广泛的工作温度范围,STD25NF20 被广泛应用于以下领域:
- 开关电源:在电源管理和转换应用中,通过高效率的开关状态控制,实现优良的功率转换效率。
- 马达驱动:由于能够处理较高的电流和电压,该 MOSFET 在电动机控制和驱动电路中表现出色。
- 汽车电子:高温性能优越,适合在汽车电子系统中使用,如电源分配和执行机构控制。
- 工业控制:在工控设备中以开关和调节负载,为工业自动化提供解决方案。
五、总结
STD25NF20 N 通道 MOSFET 是一款结合高效能、广泛应用和先进封装的产品,适用于许多现代电子应用。其出色的电气特性和良好的工作温度范围使其成为高功率、高效能设计的理想选择。无论是在开关电源还是在其他高要求的电气应用中,STD25NF20 均能够提供可靠的性能,助力工程师实现其设计目标。
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