类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 18A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 125mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 39nC@160V | 输入电容(Ciss@Vds) | 940pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 30pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
产品概述:STD25NF20 N通道MOSFET
一、产品简介
STD25NF20 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。其具备优异的电气性能和宽广的工作温度范围,广泛应用于各种电子设备中,尤其是在功率控制、开关电源和电流驱动应用中。这款 MOSFET 的最大漏极源电压(Vdss)为 200V,连续漏极电流(Id)可达到 18A,确保了其在高压和大电流环境下的可靠工作。
二、技术特性
电气参数:
电压特性:
频率特性:
电容特性:
功率和热特性:
三、封装及安装
STD25NF20 采用 DPAK(TO-252-3)封装,具有良好的散热能力和可靠的表面贴装类型设计,适合现代电子设备的小型化需求。DPAK 封装的设计特点使元件易于焊接,适合自动化生产线,并且有助于降低生产成本。
四、应用领域
由于其优越的电气性能和广泛的工作温度范围,STD25NF20 被广泛应用于以下领域:
五、总结
STD25NF20 N 通道 MOSFET 是一款结合高效能、广泛应用和先进封装的产品,适用于许多现代电子应用。其出色的电气特性和良好的工作温度范围使其成为高功率、高效能设计的理想选择。无论是在开关电源还是在其他高要求的电气应用中,STD25NF20 均能够提供可靠的性能,助力工程师实现其设计目标。