STD25NF20 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STD25NF20

商品编码: BM0000529955
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
0.533g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 110W 200V 18A 1个N沟道 DPAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
6.02
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.02
--
100+
¥5.02
--
1250+
¥4.57
--
2500+
¥4.38
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

STD25NF20参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)18A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)125mΩ@10V,10A
功率(Pd)110W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)39nC@160V输入电容(Ciss@Vds)940pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)30pF@25V工作温度-55℃~+175℃

STD25NF20手册

STD25NF20概述

产品概述:STD25NF20 N通道MOSFET

一、产品简介

STD25NF20 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。其具备优异的电气性能和宽广的工作温度范围,广泛应用于各种电子设备中,尤其是在功率控制、开关电源和电流驱动应用中。这款 MOSFET 的最大漏极源电压(Vdss)为 200V,连续漏极电流(Id)可达到 18A,确保了其在高压和大电流环境下的可靠工作。

二、技术特性

  1. 电气参数

    • 漏源电压(Vdss):最大 200V,使得该器件适合高电压应用。
    • 连续漏极电流(Id):在 25°C 的环境下,最大可达 18A,确保了良好的负载能力。
    • 导通电阻(Rds(on)):在 Vgs=10V 时,Rds(on) 最大值为 125 毫欧,能够有效降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 电压特性

    • 驱动电压(Vgs):推荐工作驱动电压为 10V,确保了良好的开启特性,提供较小的导通电阻。
    • 阈值电压(Vgs(th)):在 250µA 的测量条件下,最大 Vgs(th) 为 4V,保证了低电流应用时的可靠开启。
  3. 频率特性

    • 栅极电荷(Qg):在 Vgs=10V 时,Qg 的最大值为 39nC,说明在切换过程中所需驱动的功率较小,适合高频开关应用。
  4. 电容特性

    • 输入电容(Ciss):在 25V 的条件下,Ciss 的最大值为 940pF,确保了快速的开关响应能力。
  5. 功率和热特性

    • 功率耗散:该器件的最大功率耗散为 110W,适合高功率应用环境。
    • 工作温度范围:在 -55°C 至 175°C 的温度范围内稳定工作,使其在极端环境下也能保持可靠性。

三、封装及安装

STD25NF20 采用 DPAK(TO-252-3)封装,具有良好的散热能力和可靠的表面贴装类型设计,适合现代电子设备的小型化需求。DPAK 封装的设计特点使元件易于焊接,适合自动化生产线,并且有助于降低生产成本。

四、应用领域

由于其优越的电气性能和广泛的工作温度范围,STD25NF20 被广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源:在电源管理和转换应用中,通过高效率的开关状态控制,实现优良的功率转换效率。
  2. 马达驱动:由于能够处理较高的电流和电压,该 MOSFET 在电动机控制和驱动电路中表现出色。
  3. 汽车电子:高温性能优越,适合在汽车电子系统中使用,如电源分配和执行机构控制。
  4. 工业控制:在工控设备中以开关和调节负载,为工业自动化提供解决方案。

五、总结

STD25NF20 N 通道 MOSFET 是一款结合高效能、广泛应用和先进封装的产品,适用于许多现代电子应用。其出色的电气特性和良好的工作温度范围使其成为高功率、高效能设计的理想选择。无论是在开关电源还是在其他高要求的电气应用中,STD25NF20 均能够提供可靠的性能,助力工程师实现其设计目标。