类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 42A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 36mΩ@10V,22A |
功率(Pd) | 160W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 110nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.9nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 230pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRF1310NPBF是一款高性能的N通道MOSFET场效应管,采用TO-220AB封装,具有出色的电气特性和广泛的应用领域。该器件由英飞凌(Infineon)制造,设计用于高效能的电源管理、开关电源、直流-直流转换器以及电机驱动等应用,能够在严苛的环境条件下稳定工作。
电压和电流规格
导通电阻
门电压和阈值
栅极电荷
输入电容
工作温度范围
IRF1310NPBF采用TO-220AB封装,这种封装形式具有良好的散热性能和较高的机械强度,安装类型为通孔,便于在各种电路板上进行焊接和更替,为设计者在产品布局上提供了灵活性。
IRF1310NPBF的广泛应用领域包括但不限于:
开关电源:在AC-DC转换、DC-DC变换等场合中,IRF1310NPBF能够有效降低能量损失,提高转换效率。
电机驱动:在电动机控制系统中,MOSFET可用于高效的H桥电路,通过适当的驱动电压,实现对电机的精确控制。
高频开关电路:由于其较低的导通电阻和较小的栅极电荷,IRF1310NPBF特别适合高频操作,提高了系统的响应速度。
功率放大器:在RF应用中,能够提供高增益和大功率输出。
总而言之,IRF1310NPBF是一款具备100V额定电压和42A额定电流的高效N通道MOSFET,适用于多种严苛电气环境。凭借其优秀的电气性能和广泛的温度工作范围,IRF1310NPBF适合诸如开关电源、电机驱动和电源管理等多种应用,是电力电子设计中的理想选择。对于追求高效能和可靠性的电子设计工程师而言,该产品无疑是一个理想的选择。