IRF1310NPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF1310NPBF

商品编码: BM0000536562
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
2.92g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 160W 100V 42A 1个N沟道 TO-220AB-3
库存 :
25(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
5.9
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.9
--
100+
¥4.71
--
1000+
¥4.52
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF1310NPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)42A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)36mΩ@10V,22A
功率(Pd)160W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)110nC输入电容(Ciss@Vds)1.9nF
反向传输电容(Crss@Vds)230pF工作温度-55℃~+175℃

IRF1310NPBF手册

IRF1310NPBF概述

IRF1310NPBF 产品概述

一、基本信息

IRF1310NPBF是一款高性能的N通道MOSFET场效应管,采用TO-220AB封装,具有出色的电气特性和广泛的应用领域。该器件由英飞凌(Infineon)制造,设计用于高效能的电源管理、开关电源、直流-直流转换器以及电机驱动等应用,能够在严苛的环境条件下稳定工作。

二、主要参数

  1. 电压和电流规格

    • 漏源电压(Vdss):100V
    • 最大连续漏极电流(Id):42A(Tc条件下)
    • 最大功率耗散:160W(Tc条件下)
  2. 导通电阻

    • 最大Rds On(导通电阻):36毫欧(@も22A,10V)。这个低导通电阻使得IRF1310NPBF在高电流应用中具有极低的功耗和热量产生,提升了整体系统的效率。
  3. 门电压和阈值

    • 驱动电压范围:最大Rds On所需的驱动电压为10V。此外,Vgs(最大值)为±20V,确保在高电平下的可靠性。
    • Vgs(th)(阈值电压)最大值:4V(@250µA),这样设计提高了在开关状态下的效率。
  4. 栅极电荷

    • 栅极电荷(Qg):最大值为110nC(@10V),这意味着在开关操作时,IRF1310NPBF能够快速充电和放电,提高开关速度和效率。
  5. 输入电容

    • 输入电容(Ciss):最大值为1900pF(@25V),有助于减小开关损耗,尤其是在高频开关操作中。
  6. 工作温度范围

    • 工作温度:-55°C 至 175°C,适用于军事、汽车及工业等要求苛刻环境的应用场合。

三、封装与安装

IRF1310NPBF采用TO-220AB封装,这种封装形式具有良好的散热性能和较高的机械强度,安装类型为通孔,便于在各种电路板上进行焊接和更替,为设计者在产品布局上提供了灵活性。

四、应用领域

IRF1310NPBF的广泛应用领域包括但不限于:

  • 开关电源:在AC-DC转换、DC-DC变换等场合中,IRF1310NPBF能够有效降低能量损失,提高转换效率。

  • 电机驱动:在电动机控制系统中,MOSFET可用于高效的H桥电路,通过适当的驱动电压,实现对电机的精确控制。

  • 高频开关电路:由于其较低的导通电阻和较小的栅极电荷,IRF1310NPBF特别适合高频操作,提高了系统的响应速度。

  • 功率放大器:在RF应用中,能够提供高增益和大功率输出。

五、总结

总而言之,IRF1310NPBF是一款具备100V额定电压和42A额定电流的高效N通道MOSFET,适用于多种严苛电气环境。凭借其优秀的电气性能和广泛的温度工作范围,IRF1310NPBF适合诸如开关电源、电机驱动和电源管理等多种应用,是电力电子设计中的理想选择。对于追求高效能和可靠性的电子设计工程师而言,该产品无疑是一个理想的选择。