安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.1mOhm @ 32A,10V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 32A(Ta),80A(Tc) | FET 类型 | N 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2850pF @ 15V | Vgs(最大值) | ±20V |
工作温度 | 150°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 42.8nC @ 10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 功率耗散(最大值) | 3W(Ta) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
RS1E321GNTB1 是一款由罗姆(ROHM)公司生产的高性能 N 通道场效应管(MOSFET),其设计主要应用于高效能的电力管理、电源转换及其它需要大电流和低导通电阻的场合。该器件采用表面贴装(SMD)技术,封装类型为 HSOP-8,能够帮助设计师在小型化和高密度的电路板设计中实现更优的布局。
导通电阻(Rds(on)):RS1E321GNTB1 在 Vgs 为 10V 时,最大导通电阻为 2.1mΩ,这意味着在高电流条件下,器件的功耗极低,从而增加了系统的整体效率。
电流容量:该 MOSFET 在 25°C 环境温度下,能够承受高达 32A 的连续漏极电流,而在额定温度下(Tc),则可实现高达 80A 的峰值电流,适合应对严苛的电力需求。
工作电压:漏源电压(Vdss)为 30V,使得该元件能够在多种电源电压环境中稳定工作。
驱动电压:RS1E321GNTB1 在 4.5V 和 10V 的驱动电压下能够表现出最佳的导通性能,这为工程师提供了灵活性,可以根据不同应用选择适当的驱动电压。
开关特性:器件具有较大的输入电容(Ciss),在 Vds 为 15V 时可达到 2850pF,确保其具备良好的开关特性。这种开关能力和相对较低的栅极电荷(Qg,最大值为 42.8nC @ 10V)提升了开关效率,适用于高频工作的应用场景。
温度范围:RS1E321GNTB1 的工作温度可达 150°C,这使得它在高温环境下也能保持稳定工作,适合工业、汽车以及消费电子产品等领域的应用。
RS1E321GNTB1 广泛应用于以下几个领域:
RS1E321GNTB1 是一款出色的 N 通道 MOSFET,其卓越的电气性能和热稳定性使得它在电力管理和电机控制等领域具有极大的应用价值。凭借其低导通电阻、高电流能力及宽广的工作温度范围,它不仅能够为终端产品提供强大的支持,还能帮助设计师实现更高效和更紧凑的电路设计。在未来的发展中,RS1E321GNTB1 将继续在现代电子设备中发挥关键作用,推动技术进步和产品创新。