类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 79A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.1mΩ@10V,47A |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 69nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.29nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 130pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRF1018EPBF 是一款优质的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计目标是满足高效率功率管理需求。这款 MOSFET 由知名半导体制造商——英飞凌(Infineon)出品,适用于各种工业和消费类电子设备。IRF1018EPBF 具备高电压和大电流处理能力,适合用作开关电源、直流-直流转换器、电机驱动等应用。
IRF1018EPBF 采用 TO-220AB 封装设计,便于通过通孔安装,适合在高散热需求的应用中。TO-220 封装有效传导热量,确保 MOSFET 在高电流工作时保持较低的温度,延长了其使用寿命。
得益于其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围,IRF1018EPBF 在多个领域都得到了广泛应用。主要应用包括:
IRF1018EPBF 是一款高性能的 MOSFET,结合了优良的电气性能、散热能力和可靠性,适合广泛的工业和消费电子应用。无论是在电源管理还是电机控制领域,其卓越的各项参数都使其成为设计师和工程师的理想选择。随着电子技术的不断发展,IRF1018EPBF将在更广泛的应用中发挥其重要作用。