类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 240V |
连续漏极电流(Id) | 260mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6Ω@10V,0.26A |
功率(Pd) | 1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@108uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 97pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 7.3pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
BSS87H6327FTSA1是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)提供。该器件设计用于高电压和中等电流应用,适用于各种电子电路,具备高可靠性和优秀的热性能。其优化的特性使其特别适合在通用功率转换、电机驱动以及负载开关等领域中应用。
BSS87H6327FTSA1的关键规格如下:
BSS87H6327FTSA1因其独特的电气特性和广泛的工作温度范围,适用于多种应用场景,包括但不限于:
BSS87H6327FTSA1相比传统MOSFET具备如下显著优势:
综上所述,BSS87H6327FTSA1 N通道MOSFET是一个极其灵活且高效的半导体器件,非常适合现代电子设计需求。其高电压、高可靠性及低功耗的特性,使其在电源管理、电机驱动和开关电源等多个应用中展现了极大的潜力与价值。选择BSS87H6327FTSA1,可以帮助设计工程师在产品的性能、效率及稳定性等方面做出优秀的平衡,进而推动电子产品在竞争激烈的市场中取得更好的表现。