BSS214NH6327XTSA1
BSS214NH6327XTSA1参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 140mΩ@4.5V,1.5A |
| 功率(Pd) | 500mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@3.7uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 800pC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 143pF@10V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 6pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
BSS214NH6327XTSA1手册
BSS214NH6327XTSA1概述
产品概述：BSS214NH6327XTSA1
概述
BSS214NH6327XTSA1 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，广泛应用于各种电子电路中，尤其是在低功率和信号处理领域。其额定的漏源电压为20V，能够支持连续漏极电流高达1.5A，使其成为工程师在设计电源开关、信号放大以及逻辑电平转换等场景下的优选元件。
关键特点
漏源电压和电流能力: BSS214NH6327XTSA1 的最大漏源电压为20V，能够在较低电压下稳定工作。这种设计为其在许多应用中的流行提供了基础，如便携式设备和低电压电源管理。最大连通电流为1.5A，适应了大多数小功率应用需求。
低导通电阻: 在4.5V Vgs 驱动电压下，该 MOSFET 的最大导通电阻（Rds(on)）为140毫欧，这使得它在提供高效率的同时能够有效减少功耗。这一点在开关电源设计中尤为重要，因为低 Rds(on) 会显著降低功率损耗，进而提升整体系统效率。
电荷存储特性: BSS214NH6327XTSA1 在5V下的栅极电荷（Qg）最大值为0.8nC，标志着其高效的开关特性。快速的开关时间对于高频开关电源及 RF 电路设计至关重要，能够有效减少延迟，并提升整个电路的响应速度。
广泛的工作温度范围: 本产品的工作温度范围为-55°C 到 150°C，适用于各种严酷的工作环境。这一特性使得该 MOSFET 可广泛应用于工业控制、汽车电子及航空航天等领域。
封装类型: BSS214NH6327XTSA1 采用 SOT-23-3 表面贴装封装，这种紧凑的封装不仅减少了PCB 的空间占用，也方便在高密度电路板上进行安装。SOT-23 封装具备良好的散热性能，对于提升元件的可靠性和稳定性发挥了重要作用。
输入电容和 Vgs(th): 输入电容（Ciss）在10V下的最大值为143pF，确保了高输入阻抗的特性，适合在高频应用中使用。Vgs(th) 的最大值为1.2V，这意味着在较低的栅极电压下即可实现导通，进一步增强了其通用性。
应用领域
BSS214NH6327XTSA1 的应用领域非常广泛，包括但不限于：
- 开关电源: 广泛用于 DC-DC 转换器、LED 驱动电源、充电器等场合，因其高效率与低热量输出。
- 信号处理: 可适用于模拟开关、逻辑电平转换，尤其在低功耗电路中表现优异。
- 电机控制: 在小型电机或步进电机控制中，能够有效控制功率的开启与关闭。
- 汽车电子: 能够承受高温环境及波动电压，适合应用于汽车电子控制单元（ECU）。
总结
BSS214NH6327XTSA1 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、广泛的工作温度范围及高切换速度，成为电子设计工程师的理想选择。无论是在电源管理还是信号处理应用中，其稳定的性能和可靠性使其值得广泛使用。选择 BSS214NH6327XTSA1 可为项目带来更高的效率和更多的设计灵活性。