可控硅类型 | 1个双向可控硅 | 门极触发电压(Vgt) | 1V |
保持电流(Ih) | 35mA | 断态峰值电压(Vdrm) | 600V |
门极触发电流(Igt) | 35mA | 通态RMS电流(It(rms)) | 20A |
工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
T2035H-6I 是由意法半导体(STMicroelectronics)制造的一款高性能双向可控硅(SCR),特别设计用于各种电力控制和电力转换应用。这款可控硅采用 TO-220AB-3 封装,具有良好的散热性能,非常适合中高功率负载的控制。T2035H-6I 的主要参数包括可承受的最大截止电压为 600V,最大 RMS 电流为 20A,适用于高达 150°C 的工作环境,展现出卓越的温度稳定性和可靠性。
电气特性
温度特性
封装和安装
T2035H-6I 适用于广泛的应用领域,包括但不限于:
T2035H-6I 双向可控硅凭借其卓越的电气特性、广泛的应用适应性和稳健的制造品质,在现代电力控制系统中扮演了重要角色。无论是高静态电压下的操作,还是承受瞬态浪涌电流的需求,该产品都展现出优于同类产品的竞争优势。作为意法半导体的明星产品之一,T2035H-6I 必将为电子设计工程师在高性能电源应用中提供可靠的解决方案。