IR25602STRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IR25602STRPBF

商品编码: BM0000641395
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SOIC-8
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
栅极驱动器
库存 :
436(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
3.01
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.01
--
100+
¥2.32
--
1250+
¥2.01
--
2500+
¥1.92
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

IR25602STRPBF参数

驱动配置半桥负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2峰值灌电流360mA
峰值拉电流210mA电源电压10V~20V
上升时间100ns下降时间50ns
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)

IR25602STRPBF手册

IR25602STRPBF概述

IR25602STRPBF 产品概述

概述: IR25602STRPBF是由英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能栅极驱动器,专为半桥配置的应用而设计。它主要用于驱动IGBT和N沟道MOSFET,能够满足高效率和高频率开关操作的需求。

关键特性: 该驱动器的工作电压范围为10V至20V,适应多种电源配置。IR25602STRPBF具备非反相输入类型,其逻辑电压(VIL和VIH)分别为0.8V和3V,确保可以与多种控制器兼容,便于集成在现有系统中。

在输出能力方面,IR25602STRPBF设计了强大的峰值输出电流,灌入电流可达210mA,拉出电流可达360mA,这允许它在高频应用中实现快速的开关操作,尤其是在电机驱动、逆变器和其他功率转换领域。

自举电压与高压兼容性: 一个显著的特点是该驱动器能够支持高达600V的自举侧电压,使其在高压应用中表现出色。这意味着用户在设计高压电源或驱动高功率设备时,可以使用IR25602STRPBF而无需担心其电压耐受问题。

高速性能: IR25602STRPBF的上升时间和下降时间分别约为100ns和50ns,保证了在快速开关操作中较低的开关损耗及较少的电磁干扰。现代电源电子设计越来越注重工作频率,IR25602STRPBF在高速性能方面的出色表现使其非常适合用于要求严格的应用,如开关电源、DC-DC转换器和电机控制。

工作环境: 该驱动器的工作温度范围非常广泛,从-40°C到150°C,能够在各种恶劣的环境中稳定工作。这使得IR25602STRPBF尤其适合于汽车、工业和航空航天等领域的应用,这些领域通常需要元器件在极端温度下依然保持高效的工作性能。

封装与安装: IR25602STRPBF采用表面贴装型(8-SOIC)封装,具有紧凑的尺寸(0.154"宽度,3.90mm),便于在空间受限的设计中使用。表面贴装技术(SMD)也使得IR25602STRPBF易于在自动化生产中组装,提高了生产效率和装配质量。

应用领域: 搭载IR25602STRPBF的设计可广泛应用于多种领域,包括:

  1. 电机驱动控制:在电动机驱动器中使用,提高电动机的效率和响应速度。
  2. 逆变器:用于太阳能逆变器和其他类型的DC-AC逆变器,提升系统性能和可靠性。
  3. 功率转换:广泛应用于DC-DC转换器,提高转换效率并降低电源损耗。
  4. UPS(不间断电源)系统:在UPS设计中,以确保高可靠性的电源供应。

总结: IR25602STRPBF是一款兼具高性能和高可靠性的栅极驱动器,其设计理念完美结合了先进的技术和广泛的应用需求。凭借其高电压耐受能力、卓越的开关性能和宽广的工作温度范围,使其成为现代功率电子系统中不可或缺的一部分。如需了解更多信息或进行采购,请访问英飞凌官方网站或联系授权分销商。