驱动配置 | 半桥 | 负载类型 | MOSFET;IGBT |
驱动通道数 | 2 | 峰值灌电流 | 360mA |
峰值拉电流 | 210mA | 电源电压 | 10V~20V |
上升时间 | 100ns | 下降时间 | 50ns |
工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
概述: IR25602STRPBF是由英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能栅极驱动器,专为半桥配置的应用而设计。它主要用于驱动IGBT和N沟道MOSFET,能够满足高效率和高频率开关操作的需求。
关键特性: 该驱动器的工作电压范围为10V至20V,适应多种电源配置。IR25602STRPBF具备非反相输入类型,其逻辑电压(VIL和VIH)分别为0.8V和3V,确保可以与多种控制器兼容,便于集成在现有系统中。
在输出能力方面,IR25602STRPBF设计了强大的峰值输出电流,灌入电流可达210mA,拉出电流可达360mA,这允许它在高频应用中实现快速的开关操作,尤其是在电机驱动、逆变器和其他功率转换领域。
自举电压与高压兼容性: 一个显著的特点是该驱动器能够支持高达600V的自举侧电压,使其在高压应用中表现出色。这意味着用户在设计高压电源或驱动高功率设备时,可以使用IR25602STRPBF而无需担心其电压耐受问题。
高速性能: IR25602STRPBF的上升时间和下降时间分别约为100ns和50ns,保证了在快速开关操作中较低的开关损耗及较少的电磁干扰。现代电源电子设计越来越注重工作频率,IR25602STRPBF在高速性能方面的出色表现使其非常适合用于要求严格的应用,如开关电源、DC-DC转换器和电机控制。
工作环境: 该驱动器的工作温度范围非常广泛,从-40°C到150°C,能够在各种恶劣的环境中稳定工作。这使得IR25602STRPBF尤其适合于汽车、工业和航空航天等领域的应用,这些领域通常需要元器件在极端温度下依然保持高效的工作性能。
封装与安装: IR25602STRPBF采用表面贴装型(8-SOIC)封装,具有紧凑的尺寸(0.154"宽度,3.90mm),便于在空间受限的设计中使用。表面贴装技术(SMD)也使得IR25602STRPBF易于在自动化生产中组装,提高了生产效率和装配质量。
应用领域: 搭载IR25602STRPBF的设计可广泛应用于多种领域,包括:
总结: IR25602STRPBF是一款兼具高性能和高可靠性的栅极驱动器,其设计理念完美结合了先进的技术和广泛的应用需求。凭借其高电压耐受能力、卓越的开关性能和宽广的工作温度范围,使其成为现代功率电子系统中不可或缺的一部分。如需了解更多信息或进行采购,请访问英飞凌官方网站或联系授权分销商。