TK18A50D(STA4,Q,M)

TK18A50D(STA4,Q,M) 产品概述

概述

TK18A50D是一款由东芝（TOSHIBA）制造的高性能N通道MOSFET，设计用于高压和高电流应用。这款场效应管具备优异的电气特性和热性能，适合用于电源管理、开关电源、逆变器和马达控制等多种场合。其主要参数包括漏源电压达到500V，连续漏极电流可达18A，最大功率耗散为50W，工作温度范围可达150°C，使其在严苛环境中也能够可靠运行。

技术规格

1. FET类型与技术：TK18A50D采用N通道MOSFET设计，应用金属氧化物半导体（MOS）技术，使得其在导通时具有低导通电阻，从而减少功耗和提升效率。

2. 电气参数：

   • 漏源电压（Vdss）：最大支持500V，适合高电压应用。
   • 连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下，最大承载能力为18A，确保在高负载情况下的稳定性。
   • 导通电阻（Rds(on)）：在Vgs=10V时，对于9A电流，最大Rds(on)为270毫欧，显示出优良的导通性能。
   • 栅极驱动电压（Vgs）：推荐工作电压为10V，且最大栅极-源极电压为±30V，具备良好的电压容忍能力。
   • 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在1mA下，最大阈值电压为4V，适合在低电压驱动条件下工作。
   • 输入电容（Ciss）：最大值为2600pF（@25V），显著影响开关速度和驱动功耗。
   • 栅极电荷（Qg）：在10V时，最大栅极电荷为45nC，反映出驱动需求，适合快速开关应用。

3. 功率耗散：该MOSFET最大功率耗散为50W（在结温Tc的条件下），适合频繁开启和关闭的高频率信号。

4. 封装与安装类型：TK18A50D采用TO-220SIS封装，提供卓越的散热性能，支持通孔安装，方便集成到各种电路设计中。

5. 工作温度：该器件的工作结温范围为-55°C到+150°C，使其能够在极端的环境中可靠运行。

应用场景

TK18A50D尤其适合于以下应用场景：

• 开关电源：在高效率和高功率开/关控制中，TK18A50D的低导通电阻和高工作电压使其成为理想选择。
• 电机驱动器：在电动机控制应用中，能够提供稳定可靠的电流输出，确保电动机性能。
• 逆变器：在太阳能和其他可再生能源系统中，其高电压处理能力适合用作逆变电路的开关元件。
• 工业控制：在各种工业设备和自动化系统中，TK18A50D表现出色，满足严苛的工作条件。

结论

TK18A50D(STA4,Q,M)是一款高效能的N通道MOSFET，结合高电压、高电流承载能力和出色的热管理性能，使其在各类现代电子设备中扮演着重要角色。凭借其可靠性和多功能性，TK18A50D成为电源和电机控制应用中的理想选择，是工程师设计高效能电路的重要组成部分。无论是对效率、功耗还是热管理有严格要求的应用，TK18A50D都能提供理想的解决方案。