类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 25V |
连续漏极电流(Id) | 680mA;460mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 450mΩ@500mA,4.5V;1.1Ω@500mA,4.5V |
功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.64nC@4.5V;1.1nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@10V;63pF@10V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
DMC3730UVT-7 是一款高性能的互补型场效应管(MOSFET),极其适合于各种电源管理和开关应用。该器件由DIODES(美台)公司制造,采用TSOT-26封装,具有出色的电气特性和宽广的工作温度范围,适合在恶劣环境中使用。
DMC3730UVT-7 MOSFET的输入电容 (Ciss) 在10V的情况下最大为50pF,这意味着其输入特性良好,有助于提高开关速度和降低驱动损耗。此外,栅极电荷 (Qg) 最大为1.64nC(@4.5V),在快速开关时可降低总开关损耗,从而提高整体系统性能。
其阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为1.1V(@250µA),表明该FET在低电压下也能较快导通,适合于要求快速响应的电路设计。
DMC3730UVT-7采用TSOT-26封装,这种细型表面贴装设计不仅节省电路板空间,而且简化了自动化组装过程。该封装适合高密度布局,有助于设计出紧凑、高效的电路。
凭借其高度的可靠性和优秀的电气特性,DMC3730UVT-7非常适合用于以下领域:
DMC3730UVT-7是一款结合了高效能、广泛应用和稳定性的先进MOSFET,其出色的电气和热性能使其成为电源管理和信号控制的理想选择。无论是使用在个人电子设备还是在工业应用中,此款器件均展现出卓越的性能,满足专业设计及市场需求。凭借DIODES公司的品牌信誉和强大的技术支持,DMC3730UVT-7极具市场竞争力,吸引了众多电子工程师的关注和应用。