
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
DMC3730UVT-7

- 商品编码: BM0000737973复制
- 品牌: DIODES(美台)复制
- 封装: TSOT-26复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.044g复制
- 描述: 场效应管(MOSFET) 700mW 25V 680mA;460mA 1个N沟道+1个P沟道复制
DMC3730UVT-7参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 25V |
| 连续漏极电流(Id) | 680mA |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.64nC@4.5V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 63pF |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
DMC3730UVT-7手册
DMC3730UVT-7概述
DMC3730UVT-7 产品概述
DMC3730UVT-7 是一款高性能的互补型场效应管(MOSFET),极其适合于各种电源管理和开关应用。该器件由DIODES(美台)公司制造,采用TSOT-26封装,具有出色的电气特性和宽广的工作温度范围,适合在恶劣环境中使用。
1. 主要特性
- FET 类型: 本产品包含一个N沟道和一个P沟道MOSFET,能够实现良好的互补工作,有效降低电路的复杂性。
- 漏源电压 (Vdss): 额定电压为25V,使其在多种低压应用中表现出色。
- 连续漏极电流 (Id): 该器件的最大连续漏极电流分别为680mA(Ta=25°C)和460mA(Ta=175°C),说明其在高温环境下仍有良好的稳定性。
- 导通电阻: 在500mA、Vgs为4.5V下,最大导通电阻为450毫欧,这使得其在开关状态下能够有效降低功耗并提高效率。
- 工作温度范围: 该器件能够在-55°C至175°C的温度范围内正常工作,适应各种极端条件,彰显出良好的热稳定性。
2. 电气性能
DMC3730UVT-7 MOSFET的输入电容 (Ciss) 在10V的情况下最大为50pF,这意味着其输入特性良好,有助于提高开关速度和降低驱动损耗。此外,栅极电荷 (Qg) 最大为1.64nC(@4.5V),在快速开关时可降低总开关损耗,从而提高整体系统性能。
其阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为1.1V(@250µA),表明该FET在低电压下也能较快导通,适合于要求快速响应的电路设计。
3. 封装和安装
DMC3730UVT-7采用TSOT-26封装,这种细型表面贴装设计不仅节省电路板空间,而且简化了自动化组装过程。该封装适合高密度布局,有助于设计出紧凑、高效的电路。
4. 应用场景
凭借其高度的可靠性和优秀的电气特性,DMC3730UVT-7非常适合用于以下领域:
- 电源管理: 作为开关元件在直流-直流转换器(DC-DC Converter)和电池管理系统中使用。
- 负载开关: 用于快速切换和控制电源供应,尤其在便捷电子设备和消费类电子中广泛应用。
- 信号开关: 当信号需在不同路径之间切换时,DMC3730UVT-7可有效保持信号完整性。
- 厂商与工业设备: 对于温度变化幅度较大的环境,该器件可助力设备保持稳定操作。
总结
DMC3730UVT-7是一款结合了高效能、广泛应用和稳定性的先进MOSFET,其出色的电气和热性能使其成为电源管理和信号控制的理想选择。无论是使用在个人电子设备还是在工业应用中,此款器件均展现出卓越的性能,满足专业设计及市场需求。凭借DIODES公司的品牌信誉和强大的技术支持,DMC3730UVT-7极具市场竞争力,吸引了众多电子工程师的关注和应用。
最新价格
梯度
单价(含税)
1+
¥0.385
3000+
¥0.36
30000+
优惠活动
券500-15
领
库存/批次
库存
批次
2469复制
21+复制
购买数量起订量:1,增量:1
单价¥0.385
合计:¥0





