类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 5.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 48mΩ@10V,4.2A |
功率(Pd) | 10W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 24.9nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 970pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 116pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介
ZXMC3A16DN8TA 是一款高性能的双沟道场效应管 (MOSFET),由 DIODES(美台)公司生产。该器件集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道的 MOSFET,具有紧凑的 SO-8 封装设计,适用于需要小型化和高效能的电子电路。其主要应用包括电源管理、电机控制和开关电路等领域,适合用于便携式设备、消费电子、汽车电子及工业自动化等场合。
基本参数
ZXMC3A16DN8TA 的基本电气特性使其在各种应用中表现出色:
功率与温度特性
ZXMC3A16DN8TA 的功率处理能力达到 1.25W,涵盖了低至 -55°C 到高达 150°C 的广泛工作温度范围。这种温度性能使其适合高温环境及恶劣条件下的应用,确保器件的可靠性与稳定性。
封装与安装方式
该产品采用标准的 SO-8 表面贴装型封装,尺寸为 3.90mm 宽,便于在自动化生产线进行快速装配。同时,SO-8 封装的设计减少了电路板空间需求,适合现代电子产品对空间和功耗的严苛要求。
应用场合
ZXMC3A16DN8TA 的性能特点使其非常适用于以下应用领域:
结论
ZXMC3A16DN8TA 是一款高效、稳定且功能强大的 MOSFET 组件,凭借其优异的电气性能和广泛的应用适应性,为电子工程师和设计师提供了有效的解决方案。在设计中选择 ZXMC3A16DN8TA,不仅能提高电路性能,还能有效缩减系统成本,是各类电源和驱动应用的理想选择。