ZXMC3A16DN8TA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

ZXMC3A16DN8TA

商品编码: BM0000738067
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.25W 30V 4.9A;4.1A 1个N沟道+1个P沟道 SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.65
按整 :
圆盘(1圆盘有500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.65
--
500+
¥3.39
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXMC3A16DN8TA参数

类型1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)48mΩ@10V,4.2A
功率(Pd)10W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)24.9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)970pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)116pF@15V工作温度-55℃~+150℃

ZXMC3A16DN8TA手册

ZXMC3A16DN8TA概述

ZXMC3A16DN8TA 产品概述

产品简介
ZXMC3A16DN8TA 是一款高性能的双沟道场效应管 (MOSFET),由 DIODES(美台)公司生产。该器件集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道的 MOSFET,具有紧凑的 SO-8 封装设计,适用于需要小型化和高效能的电子电路。其主要应用包括电源管理、电机控制和开关电路等领域,适合用于便携式设备、消费电子、汽车电子及工业自动化等场合。

基本参数
ZXMC3A16DN8TA 的基本电气特性使其在各种应用中表现出色:

  • FET 类型:同时包括 N 和 P 沟道,使其适应多种电源拓扑架构。
  • 漏源电压 (Vdss):最高可承受 30V 的漏源电压,提供了良好的电压处理能力。
  • 连续漏极电流 (Id):在 25°C 环境下,N 沟道和 P 沟道的最大连续漏极电流分别为 4.9A 和 4.1A,满足高电流需求的设计要求。
  • 导通电阻 (Rds(on)):在 10V Vgs 下,导通电阻最大值为 35 毫欧,能够有效减少功耗并提高转换效率。
  • 阈值电压 (Vgs(th)):最大值为 1V @ 250µA,确保了器件能在低电压驱动下可靠工作。
  • 栅极电荷 (Qg):在 10V 时的栅极电荷达到 17.5nC,为 PWM 和开关应用提供了良好的响应速度。
  • 输入电容 (Ciss):输入电容最大值为 796pF @ 25V,保证了快速开关操作。

功率与温度特性
ZXMC3A16DN8TA 的功率处理能力达到 1.25W,涵盖了低至 -55°C 到高达 150°C 的广泛工作温度范围。这种温度性能使其适合高温环境及恶劣条件下的应用,确保器件的可靠性与稳定性。

封装与安装方式
该产品采用标准的 SO-8 表面贴装型封装,尺寸为 3.90mm 宽,便于在自动化生产线进行快速装配。同时,SO-8 封装的设计减少了电路板空间需求,适合现代电子产品对空间和功耗的严苛要求。

应用场合
ZXMC3A16DN8TA 的性能特点使其非常适用于以下应用领域:

  1. 电源管理:适用于开关电源、逆变器、LED 驱动器等高效电源设计。
  2. 电机驱动:可用于直流电机或步进电机驱动电路中,提供良好的控制效果。
  3. 信号开关:适合用于多种信号开关应用,确保信号完整性和低延迟。
  4. 汽车电子:能够在高温和恶劣环境下稳定工作,适合用于汽车电气系统。
  5. 工业控制:广泛应用于工业设备和自动化系统中,提升系统效率和响应速度。

结论
ZXMC3A16DN8TA 是一款高效、稳定且功能强大的 MOSFET 组件,凭借其优异的电气性能和广泛的应用适应性,为电子工程师和设计师提供了有效的解决方案。在设计中选择 ZXMC3A16DN8TA,不仅能提高电路性能,还能有效缩减系统成本,是各类电源和驱动应用的理想选择。