STU7N105K5

STU7N105K5 产品概述

概述

STU7N105K5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 通道 MOSFET，具备卓越的电气性能和宽广的应用范围。这款器件被广泛应用于高电压和高电流的电子设备中，尤其适合电源管理、逆变器、以及其他功率转换装置。凭借其优异的性能指标和可靠性，STU7N105K5 是许多设计工程师的理想选择。

关键参数

• FET 类型: N通道 MOSFET，这种类型的场效应管以其较低的导通电阻和优良的开关特性而受到青睐。
• 漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为1050V，能够满足高电压应用需求。
• 电流（Id）: 在25°C 条件下，STU7N105K5 可持续承载最大漏极电流达到4A，适合负载较高的电源电路。
• 导通电阻（Rds On）: 在10V的栅极驱动下，器件的最大导通电阻为2Ω（@2A），确保低功耗和高效率。
• 栅极电压（Vgs）: 器件可承受高达±30V的栅极电压，为电路设计提供了灵活性。
• 功率耗散: 最大功率耗散可达110W（当接合温度Tc时），这使得该MOSFET能够在较高条件下持续工作。
• 工作温度范围: STU7N105K5的工作温度范围从-55°C到150°C，适应于严酷环境下的应用。

应用领域

STU7N105K5 被广泛应用于各种高电压和大电流的电力电子设备中，例如：

• 电源管理: 可以用于开关电源（SMPS）设计中，通过其优良的导通特性和低开关损耗，优化能量转换效率。
• 电动机控制: 适合电动机驱动和控制系统，尤其在工业和交通运输设备中。
• 逆变器: 在可再生能源应用如太阳能和风能发电的逆变器中，可以发挥重要作用，提高电能转换效率。
• LED 驱动: 用于高功率LED驱动电路中，提供稳定的电流控制。

封装与安装

该器件采用通孔构造，封装类型为TO-251（IPAK）。TO-251-3短引线封装设计有助于实现更好的热 dissipation 和更低的寄生电感，提升了整体的电气性能。安装便捷，适合各种电路板设计。

性能优势

1. 高效率: 由于低导通电阻和低开关损耗，STU7N105K5 可有效降低系统发热，提高能效。
2. 高可靠性: 宽工作温度范围和较高的功率耗散能力使得该器件在严苛环境下仍能可靠运行。
3. 设计灵活性: 适用范围广，可以满足从小型电源到大型工业设备的多种设计需求。

总结

STU7N105K5 是一款具有极佳性价比的高性能N通道MOSFET，凭借其高漏源电压、低导通电阻及宽广的应用领域，成为现代电源设计和功率管理中的重要组成部分。无论在工程应用还是实际市场中，该产品凭借其可靠性和效率受到广泛认可，是电子工程师进行现代产品开发时不可或缺的优质选择。