类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 150A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5mΩ@10V,40A |
功率(Pd) | 140W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 42nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.5nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 380pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STP105N3LL 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,专为高效率开关电源和电机驱动等应用而设计。该元件以其优越的电气特性和极高的功率处理能力,广泛应用于工业、汽车和消费电子等诸多领域。
高电流承载能力:STP105N3LL 的连续漏极电流(Id)达到 80A @ 25°C,这使得该元件在需要高电流输出的电路中表现出色。通过适当的热管理,用户可以在高效率的条件下利用其出色的电流承载能力。
低导通电阻:在 10V 的栅极电压下,该 MOSFET 的最大 Rds(on) 仅为 3.5 毫欧 @ 40A。这意味着在工作过程中,能耗极低,减少了热量的产生,提高了整体系统的效率。此外,低 Rds(on) 特性对于热管理和系统稳定性至关重要。
高耐压特性:STP105N3LL 的漏源电压(Vdss)可达 30V,允许它在多个电源架构中使用,包括用于驱动低压电机的控制电路。
宽栅极驱动范围:产品支持的栅极驱动电压 Vgs 在 4.5V 到 10V之间,使其能够与多种逻辑电平兼容,从而便于与不同控制电路结合使用。同时,最大栅极电压 (Vgs) 可承受 ±20V,提供了良好的设计灵活性和抗干扰能力。
低栅极电荷:在 4.5V 的驱动条件下,栅极电荷 (Qg) 最大值为 42nC,这一特性保证了快速开关速度和低开关损耗,适合高频开关应用。
高功率耗散能力:该器件具有最大功率耗散能力为 140W(Tc),提供了足够的余量以应对高功率需求的应用场景,尤其在需要长时间运行的设备中,确保了器件的可靠性。
工作温度范围:STP105N3LL 的工作温度上限为 175°C,适用于高温环境,同时提供优良的热稳定性。这一特性使其非常适合于要求严苛的工业和汽车应用。
封装类型和安装:该产品采用 TO-220 封装,具备通孔安装方式,便于散热和电路集成。TO-220 封装被广泛认可,适合于需要高功率和可靠连接的应用。
STP105N3LL 的设计和功能使其在多种应用场景中表现出色,包括但不限于:
STP105N3LL 是一款高性能 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气特性和广泛的应用领域,在现代电力电子设备中扮演着重要角色。无论是在开关电源还是电子驱动系统中,STP105N3LL 都提供了极致的效率和可靠的性能,是设计师和工程师在选择电子元器件时的优质选择。