可控硅类型 | 1个双向可控硅 | 门极触发电压(Vgt) | 1V |
保持电流(Ih) | 35mA | 断态峰值电压(Vdrm) | 600V |
门极触发电流(Igt) | 35mA | 通态峰值电压(Vtm) | 1.5V |
浪涌电流(Itsm@f) | 80A@50Hz | 门极平均耗散功率(PG(AV)) | 1.5W |
通态RMS电流(It(rms)) | 8A | 工作温度 | -40℃~+150℃ |
T835H-6I 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能双向可控硅(Thyristor),专为各种电力控制和功率调节应用而设计。其封装采用了TO-220AB,提供了良好的散热性能和安装灵活性,使其在不同的电气系统和环境下都能稳定工作。
T835H-6I 的主要电气参数包括:
T835H-6I 的工作温度范围为-40°C ~ 150°C,能够在极端环境下保持稳定运行,适合恶劣的工业应用和高温环境。同时,采用通孔式封装的设计,保证了良好的安装便捷性和散热性能,使得用户可以在多种电路板上轻松集成。
T835H-6I 适用于多个应用场景,包括但不限于:
总之,T835H-6I 是一款具备高电压、低触发电流和宽工作温度范围的双向可控硅,适合多种电力控制应用。凭借其出色的电气性能与可靠的工作特性,T835H-6I 成为设计工程师在选择高效电力控制元件时的一种优良选择。通过采用意法半导体的这一创新产品,用户可以提高系统性能,降低设计复杂性,同时增强设备的耐用性和稳定性。