晶体管类型 | 1个NPN-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 68@5mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.4V@2mA,0.3V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 1.1V@100uA,5V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DDTC144EUAQ-13-F 是一款由美台半导体(DIODES)制造的高性能数字晶体管,采用 NPN 结构,专为低功耗应用和高频开关电路设计。其具备优异的电气性能,适合在各种电子设备中应用,包括消费电子、工业控制以及通信设备等。
晶体管类型:DDTC144EUAQ-13-F 属于 NPN 预偏压晶体管。预偏压设计使其在启动时降低了对外部电路的依赖,显著简化了电路设计。同时,NPN 类型的配置能够提供更高的电流增益和开关速度,非常适合需要快速响应的应用。
电流与电压能力:
增益特性:在 5mA 的集电极电流和 5V 的电压下,该晶体管的直流电流增益 (hFE) 最小为 80,这意味着在小信号情况下,能够有效放大输入信号。此外,DDTC144EUAQ-13-F 提供了高达 250MHz 的跃迁频率,使其能够在高频应用中保持出色的性能。
饱和压降:在 500µA 的基极电流和 10mA 的集电极电流下,饱和压降 (Vce(sat)) 最大为 300mV。该特性保证了其在大电流下处理低压降,导致更高的功率效率并降低了热量的产生。
漏电当前:在集电极截止状态下,其最大漏电流低至 500nA,这对于低功耗设计尤为重要,能够显著降低待机功耗,提高整体系统的能效。
功率处理:DDTC144EUAQ-13-F 的最大功率为 200mW,足以处理多种应用所需的功耗,同时保持温度效能和稳定性。
DDTC144EUAQ-13-F 显示出兼容 SOT-323 封装标准,属于表面贴装型 (SMD) 元器件。该封装形式使得其可以方便地整合到现代电子电路中,更适合小型化、高密度的电路板设计。SC-70 封装特性赋予了该晶体管较小的占板空间,同时易于自动化安装,进而提高了生产效率和降低了制造成本。
DDTC144EUAQ-13-F 的特性使其在多个领域中具有广泛的应用潜力:
总体而言,DDTC144EUAQ-13-F 是一款功能强大且灵活应用的 NPN 预偏压数字晶体管,凭借其优越的电流与电压特性、低饱和压降以及高频特性,成为现代电子设计中不可或缺的元件。无论是在消费电子、通信还是工业自动化方面,它均可有效提升电子设备的性能和可靠性。