类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 6.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 29mΩ@4.5V,6.4A |
功率(Pd) | 660mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20.5nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.808nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 117pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP2035UFDF-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET(场效应晶体管),由美台(DIODES)公司生产,特别适用于对低电压和高电流要求的应用场景。该器件具有优异的导通特性和低导通电阻,适合各种电源管理和功率开关应用。
类型与技术
电气特性
额定功率和温度范围
封装和安装
DMP2035UFDF-7 的设计确保了在高电流和低电压应用中的最佳性能。该器件的低导通电阻使其在开关时能减少功率损耗,从而提高整体效率。这对于需要频繁切换的电路而言尤为重要,尤其是在电源管理和直流-直流转换器(DC-DC converters)中。
该 MOSFET 的输入电容低,有助于降低驱动电路的负担,提高开关频率,使其能适应更快的工作环境。此外,该元件的高温工作能力(最高 150°C)使其能在苛刻条件下可靠运行,适合汽车、工业和消费电子等多种应用场合。
考虑到其电气特性和工作稳定性,DMP2035UFDF-7 MOSFET 可以广泛应用于以下领域:
DMP2035UFDF-7 是一款杰出的 P 通道 MOSFET,凭借其优越的导通特性、低功耗、高温稳定性和紧凑封装设计,广泛适用于从电源管理到工业和汽车电子等多个领域。无论是在设计新产品还是升级现有设备时,DMP2035UFDF-7 都是一款值得考虑的理想电子元器件。通过使用该 MOSFET,设计工程师可以更好地满足市场对高效率、高可靠性产品的日益增长的需求。