DMP2035UFDF-7 产品实物图片
DMP2035UFDF-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMP2035UFDF-7

商品编码: BM0000743773
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
U-DFN2020-6
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.03W 20V 8.1A 1个P沟道 U-DFN2020-6E
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.608
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.608
--
3000+
¥0.565
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP2035UFDF-7参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.9A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)29mΩ@4.5V,6.4A
功率(Pd)660mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)20.5nC输入电容(Ciss@Vds)1.808nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)117pF@15V工作温度-55℃~+150℃

DMP2035UFDF-7手册

DMP2035UFDF-7概述

DMP2035UFDF-7 产品概述

一、产品简介

DMP2035UFDF-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET(场效应晶体管),由美台(DIODES)公司生产,特别适用于对低电压和高电流要求的应用场景。该器件具有优异的导通特性和低导通电阻,适合各种电源管理和功率开关应用。

二、基本参数

类型与技术

  • FET 类型: P 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)

电气特性

  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流 (Id): 25°C 时能承受 8.1A
  • 驱动电压 (Vgs): 最大导通电阻的驱动电压为 1.5V(最小值),4.5V(最大值)
  • 导通电阻(Rds(on)): 在 4.5V 和 6.4A 时最大值可达到 29 毫欧(Ω)
  • 开启阈值电压(Vgs(th)): 在 250μA 条件下最大值为 1V
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 20.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss): 在 15V 下最大值为 1808pF

额定功率和温度范围

  • 功率耗散 (Pd): 最大值 2.03W(在环境温度下)
  • 工作温度范围: -55°C 到 150°C(结温,TJ)

封装和安装

  • 安装类型: 表面贴装型(SMD)
  • 器件封装: U-DFN2020-6(F 类)
  • 封装外形: 6-UDFN 裸露焊盘

三、性能特点

DMP2035UFDF-7 的设计确保了在高电流和低电压应用中的最佳性能。该器件的低导通电阻使其在开关时能减少功率损耗,从而提高整体效率。这对于需要频繁切换的电路而言尤为重要,尤其是在电源管理和直流-直流转换器(DC-DC converters)中。

该 MOSFET 的输入电容低,有助于降低驱动电路的负担,提高开关频率,使其能适应更快的工作环境。此外,该元件的高温工作能力(最高 150°C)使其能在苛刻条件下可靠运行,适合汽车、工业和消费电子等多种应用场合。

四、应用领域

考虑到其电气特性和工作稳定性,DMP2035UFDF-7 MOSFET 可以广泛应用于以下领域:

  • 电源管理模块:在电源转换和管理中能够有效提高转换效率,减少待机功耗。
  • 负载开关:适用于高效率负载切换,尤其是在大功率设备中。
  • 马达控制:在电动机驱动和控制应用中提供良好的性能。
  • 工业控制:在需要高可靠性的工业设备中,其工作温度范围和功耗特性使其成为优选方案。
  • 汽车电子:能在汽车电子系统中提供低功耗和高温适应性的解决方案。

五、总结

DMP2035UFDF-7 是一款杰出的 P 通道 MOSFET,凭借其优越的导通特性、低功耗、高温稳定性和紧凑封装设计,广泛适用于从电源管理到工业和汽车电子等多个领域。无论是在设计新产品还是升级现有设备时,DMP2035UFDF-7 都是一款值得考虑的理想电子元器件。通过使用该 MOSFET,设计工程师可以更好地满足市场对高效率、高可靠性产品的日益增长的需求。