类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 50V |
连续漏极电流(Id) | 200mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4Ω@10V,0.22A |
功率(Pd) | 300mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
输入电容(Ciss@Vds) | 15pF@10V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 8pF@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介
BSS138Q-7-F 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管 (MOSFET),具有优异的电气特性和可靠性。该器件由 DIODES (美台) 公司生产,采用 SOT-23 封装,适用于广泛的电子应用,如开关电源、负载驱动、信号开关和电源管理电路。其工作温度范围宽广,适合在恶劣环境中使用。
主要参数
FET 类型: N 通道
漏源电压 (Vdss): 50V
电流 - 连续漏极 (Id): 200mA (在 25°C 时)
导通电阻 (Rds(on)): 最大 3.5Ω @ 220mA,10V
门源电压 (Vgs): 最大 ±20V
输入电容 (Ciss): 最大 50pF @ 10V
功率耗散: 最大 300mW (在 25°C)
工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
封装类型: SOT-23
应用领域
BSS138Q-7-F 适用于多种电子设计和应用,包括但不限于:
总结
BSS138Q-7-F 是一款极具性价比的 N 通道 MOSFET,适合广泛的电子应用,特别是在空间受限、功率要求适中的场合。其优越的性能参数使其成为设计师进行高效能、高可靠性电路设计的首选。凭借其广泛的工作温度范围和稳定的电气特性,BSS138Q-7-F 在极端环境和长时间持续运行的应用中展现出卓越的适应能力,是现代电子设计中不可或缺的重要元件。