DMC31D5UDA-7B 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMC31D5UDA-7B

商品编码: BM0000743897
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X2DFN08066
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 370mW 30V 400mA 1个N沟道+1个P沟道 X2-DFN0806-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.623
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.623
--
100+
¥0.429
--
500+
¥0.391
--
2500+
¥0.362
--
5000+
¥0.338
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMC31D5UDA-7B参数

类型1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)400mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.5Ω@100mA,4.5V
功率(Pd)370mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)380pC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)22.6pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

DMC31D5UDA-7B手册

DMC31D5UDA-7B概述

DMC31D5UDA-7B 产品概述

产品简介

DMC31D5UDA-7B 是一款由知名品牌 DIODES(美台)生产的双通道场效应管(MOSFET),它集成了一个N沟道和一个P沟道的互补型设计,适合广泛的电子应用。这款产品的设计考虑到了高性能需求,兼具了高效率和稳定性,特别适合在低功耗、高频率的电源管理和信号调节电路中使用。封装采用6-SMD无引线设计(X2-DFN0806-6),使得其在布局上能够更加灵活,符合现代电子产品对小型化和高密度的要求。

主要参数

  • FET 类型: N 和 P 沟道互补型
  • 漏源电压(Vdss): 高达30V 的工作电压,能够满足多种低到中电压范围的应用需求。
  • 连续漏极电流(Id): 25°C 时能够承受的最大电流为400mA,这为设计师提供了较大的电流余量,保证系统的可靠性。
  • 导通电阻(Rds(on)): 在100mA和4.5V时最大值为1.5Ω,低导通电阻有助于减少功耗和发热,提高电路整体效率。
  • 阈值电压(Vgs(th)): 最大值为1V @ 250µA。较低的阈值电压使得该FET在驱动电压较低的情况下也能够实现快速导通。
  • 栅极电荷(Qg): 最大值为380pC @ 4.5V,这意味着其在高频切换应用中的驱动损耗较低。
  • 输入电容(Ciss): 最大值为22.6pF @ 15V,确保了快速的信号响应,适用于高频信号处理。
  • 功率最大值: 在25°C下,最大功耗为370mW,能够针对多种温度环境下稳健工作。
  • 工作温度范围: -55°C 到 150°C 的宽广工作温度使得此产品适合于各种严苛的环境条件。

应用领域

DMC31D5UDA-7B 适用于多种应用,包括但不限于:

  • DC-DC 转换器: 在电源管理中用作开关元件,确保高效能的电压转换。
  • 电机驱动: 用于控制直流电机的启停和速度调节。
  • 自动化设备: 在工业和消费电子设备中实现有效的信号控制与切换。
  • 音频和视频设备: 为音频放大器或视频开关提供高效的开关控制。

封装和安装

DMC31D5UDA-7B 采用 X2-DFN0806-6 表面贴装型封装,具有优良的热性能和电气性能,适合于高密度的PCB设计。无引线的设计不仅减小了板面占用空间,还可以显著提高制造工艺的自动化程度。此外,这种封装形式还提高了组件的抗振动能力,增强了设备的可靠性。

总结

DMC31D5UDA-7B 结合了出色的电气性能及可靠性,是现代电子设计中的理想选择。其双通道设计和优化的参数使得这款MOSFET能够在各种应用中提供高效、稳定的性能。无论是用于电源管理、自动化控制还是基础信号调节,DMC31D5UDA-7B 都能够满足客户的需求,帮助工程师实现优秀的设计目标。