类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 400mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5Ω@100mA,4.5V |
功率(Pd) | 370mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 380pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 22.6pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMC31D5UDA-7B 是一款由知名品牌 DIODES(美台)生产的双通道场效应管(MOSFET),它集成了一个N沟道和一个P沟道的互补型设计,适合广泛的电子应用。这款产品的设计考虑到了高性能需求,兼具了高效率和稳定性,特别适合在低功耗、高频率的电源管理和信号调节电路中使用。封装采用6-SMD无引线设计(X2-DFN0806-6),使得其在布局上能够更加灵活,符合现代电子产品对小型化和高密度的要求。
DMC31D5UDA-7B 适用于多种应用,包括但不限于:
DMC31D5UDA-7B 采用 X2-DFN0806-6 表面贴装型封装,具有优良的热性能和电气性能,适合于高密度的PCB设计。无引线的设计不仅减小了板面占用空间,还可以显著提高制造工艺的自动化程度。此外,这种封装形式还提高了组件的抗振动能力,增强了设备的可靠性。
DMC31D5UDA-7B 结合了出色的电气性能及可靠性,是现代电子设计中的理想选择。其双通道设计和优化的参数使得这款MOSFET能够在各种应用中提供高效、稳定的性能。无论是用于电源管理、自动化控制还是基础信号调节,DMC31D5UDA-7B 都能够满足客户的需求,帮助工程师实现优秀的设计目标。