IRF7201TRPBF
IRF7201TRPBF参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@10V,7.3A |
| 功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 28nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 550pF@25V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
IRF7201TRPBF手册
IRF7201TRPBF概述
IRF7201TRPBF 产品概述
产品名称: IRF7201TRPBF
类型: N通道 MOSFET
封装: SO-8 (表面贴装型)
制造商: Infineon Technologies (英飞凌)
一、产品基本信息
IRF7201TRPBF是一款高性能的N通道MOSFET，专为各种电力应用而设计。其在宽广的温度范围(-55°C 至 150°C)内，能够提供出色的电流承载能力和低导通电阻，适用于有效的电源管理、电机控制和开关电路等多个领域。它的额定漏源电压(Vdss)为30V，最大连续漏极电流(Id)可达7.3A，非常适合用于需要中等电压和电流的应用。
二、关键特性
- 漏源电压(Vdss): 30V - 该参数说明了IRF7201TRPBF可以承受的最大电压，非常适合用于低至中压电源系统。
- 连续漏极电流(Id): 在25°C下的最大限值可达到7.3A，确保在不超过指定条件的情况下能够提供稳定的电流输出。
- 最大导通电阻(Rds(on)): 在10V的栅极驱动电压下，导通电阻最低为30毫欧，这一特性可以显著降低在导通状态下的功率损耗。
- 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为1V(@250µA)，这意味着该MOSFET能在较低的栅电压下开始导通，从而提高控制电路的灵活性。
- 栅极电荷(Qg): 最大值为28nC(@10V)，这一参数影响开关性能，较低的栅极电荷可以有效提高开关频率的效率。
- 输入电容(Ciss): 最大值为550pF(@25V)，低输入电容有助于提升开关速率，尤其在高频应用中表现突出。
三、功耗与热管理
IRF7201TRPBF的最大功率耗散能力为2.5W，这要求在使用场合中适当的热管理设计以保证元件在正常工作温度范围内稳定运行。其广泛的工作温度范围使得该MOSFET能够在各类恶劣环境下良好运作。
四、应用场景
IRF7201TRPBF特别适用于以下几种场景：
电源管理: 在DC-DC转换器、开关电源等电源管理应用中，IRF7201TRPBF能有效地实现电流切换和调节，降低能源损耗。
电机驱动: 在电动机控制与驱动中，该MOSFET可以利用其快速开关特性实现对现代电机的精确控制。
负载开关: 在各种负载开关应用中，IRF7201TRPBF以其低导通电阻提供理想的电流路径，确保负载稳定供电。
高频开关电路: 由于其低栅极电荷和输入电容，IRF7201TRPBF非常适合用于高频开关电路，能够提供更佳的开关效率与性能。
五、结论
作为Infineon的一款优秀产品，IRF7201TRPBF结合了高效的电流控制、低功耗特性和广泛的应用兼容性，满足了现代电子设备对性能和能效日益增长的需求。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域，IRF7201TRPBF都能提供可靠而高效的解决方案，是设计师们在选择MOSFET时的优选之一。通过结合其先进的技术与良好的规格，IRF7201TRPBF无疑会成为未来电源设计的重要组成部分。