类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 17A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 45W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 480pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 61pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
概述
IRLR024NTRLPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。这款 MOSFET 采用表面贴装型(SMD)D-Pak 封装,具有优秀的电气性能和热管理特性,广泛应用于电源转换、马达驱动及开关电源等领域。
主要特性
电气参数:
阈值电压(Vgs(th)): 在 250µA 时,阈值电压的最大值为 2V,确保在较低的栅压下即可实现 MOSFET 的开关控制,这对于简单的开关电路设计尤为重要。
栅极电荷(Qg): 最多可达到 15nC,这使得其在频繁的开关应用中可实现快速响应,降低开关损耗。
输入电容(Ciss): At 480pF(在 25V 时),有效抑制了高频信号对系统的影响,保持了信号的完整性。
功率耗散: 最大功率耗散可达到 45W,适合高功率需求的应用,良好的热管理性能使产品在高温工况下依然稳定运行。
工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 175°C,这为其应用于严苛的工业和汽车环境提供了保障。
封装及安装
IRLR024NTRLPBF 采用 TO-252-3(D-Pak)封装,具有良好的散热性能和体积优势。表面贴装型封装使其易于自动化生产,提高了生产效率,同时可减小电路板的空间占用。两引线加接片的设计,进一步增强了可靠性和连接的稳定性。
应用领域
IRLR024NTRLPBF 适用于多种应用场景,包括但不限于:
在这些应用中,IRLR024NTRLPBF 的高效率、可靠性和优秀的温度特性使它成为设计工程师优先选择的元件之一。
总结
总的来说,IRLR024NTRLPBF 是一款高功率的 N 通道 MOSFET,其卓越的电气性能、宽广的应用范围以及汽车级的工作温度,赋予了它在现代电子电路中的重要地位。无论是在要求苛刻的工业应用还是高性能消费电子设备中,IRLR024NTRLPBF 都能够提供强大的支持,以满足不断增长的电力电子需求。对于设计工程师来说,选择这款 MOSFET 将是提高系统效率和可靠性的一个明智选择。