IRLR024NTRLPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRLR024NTRLPBF

商品编码: BM0000744239
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-252-3(DPAK)
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 45W 55V 17A 1个N沟道 DPAK
库存 :
708(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
1.98
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.98
--
100+
¥1.58
--
750+
¥1.41
--
1500+
¥1.33
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRLR024NTRLPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)17A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)65mΩ@10V,10A
功率(Pd)45W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)15nC输入电容(Ciss@Vds)480pF
反向传输电容(Crss@Vds)61pF工作温度-55℃~+175℃

IRLR024NTRLPBF手册

IRLR024NTRLPBF概述

产品概述:IRLR024NTRLPBF N 通道 MOSFET

概述

IRLR024NTRLPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。这款 MOSFET 采用表面贴装型(SMD)D-Pak 封装,具有优秀的电气性能和热管理特性,广泛应用于电源转换、马达驱动及开关电源等领域。

主要特性

  • 电气参数:

    • 漏源电压(Vdss): 最高达 55V,这使得 IRLR024NTRLPBF 能够满足许多中等电压应用的需求。
    • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 时可达到 17A,为高负载条件下的有效导通提供了保障。
    • 导通电阻(Rds(On)): 在 10V 的栅压下,最大导通电阻为 65 毫欧,这意味着在导通状态下能量损失较低,提高了整体系统效率。
  • 阈值电压(Vgs(th)): 在 250µA 时,阈值电压的最大值为 2V,确保在较低的栅压下即可实现 MOSFET 的开关控制,这对于简单的开关电路设计尤为重要。

  • 栅极电荷(Qg): 最多可达到 15nC,这使得其在频繁的开关应用中可实现快速响应,降低开关损耗。

  • 输入电容(Ciss): At 480pF(在 25V 时),有效抑制了高频信号对系统的影响,保持了信号的完整性。

  • 功率耗散: 最大功率耗散可达到 45W,适合高功率需求的应用,良好的热管理性能使产品在高温工况下依然稳定运行。

  • 工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 175°C,这为其应用于严苛的工业和汽车环境提供了保障。

封装及安装

IRLR024NTRLPBF 采用 TO-252-3(D-Pak)封装,具有良好的散热性能和体积优势。表面贴装型封装使其易于自动化生产,提高了生产效率,同时可减小电路板的空间占用。两引线加接片的设计,进一步增强了可靠性和连接的稳定性。

应用领域

IRLR024NTRLPBF 适用于多种应用场景,包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS)
  • 电机驱动(如无刷直流电机驱动)
  • 直流-直流转换器(DC-DC Converter)
  • 电池管理系统(BMS)
  • 工业自动化设备及相关控制电路

在这些应用中,IRLR024NTRLPBF 的高效率、可靠性和优秀的温度特性使它成为设计工程师优先选择的元件之一。

总结

总的来说,IRLR024NTRLPBF 是一款高功率的 N 通道 MOSFET,其卓越的电气性能、宽广的应用范围以及汽车级的工作温度,赋予了它在现代电子电路中的重要地位。无论是在要求苛刻的工业应用还是高性能消费电子设备中,IRLR024NTRLPBF 都能够提供强大的支持,以满足不断增长的电力电子需求。对于设计工程师来说,选择这款 MOSFET 将是提高系统效率和可靠性的一个明智选择。