类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id) | 6.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@10V,1.5A |
功率(Pd) | 61W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@0.13mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 280pF@100V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 57pF@0...480V | 工作温度 | -40℃~+150℃ |
Infineon Technologies是一家全球领先的半导体解决方案供应商,其产品广泛应用于汽车、工业、通信及消费电子等领域。IPD60R1K0CEAUMA1是由Infineon推出的一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),采用现代先进的制造工艺,提供优秀的电气特性和热管理性能,适用于高频开关和功率转换应用。
电气性能:
封装与散热性能:
可靠性与耐用性:
环境友好:
IPD60R1K0CEAUMA1场效应管适用于各种需要高电压和高效率的电子应用,包括但不限于:
Infineon IPD60R1K0CEAUMA1是一款卓越的600V N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、快速开关能力和优良的散热性能,广泛应用于多个领域,为现代电子设备的高效能提供了坚实的基础。其可靠的性能与环保设计使它成为设计工程师在选择功率开关时的理想选择,未来也将继续在技术的进步中,不断推动电气和电子产品向着更高效率与更低能耗的方向发展。