D6V3E1U2LP-7B

D6V3E1U2LP-7B 产品概述

概述

D6V3E1U2LP-7B 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能瞬态抑制二极管，专为保护电子设备免受瞬态过电压（如电涌和静电放电）影响而设计。该器件采用表面贴装型封装，符合现代电子设备对空间、效率和可靠性的需求。

关键特性

• 反向断态电压（Vr）: D6V3E1U2LP-7B 的典型反向断态电压为 6.3V，最大值为 6.3V，这使其在多种低电压电路中表现出色。
• 击穿电压（Vz）: 该器件的最小击穿电压为 6.5V，能够在电路负载超过这一阈值时有效地保护后续电子元件。
• 最大箝位电压 (Vcl): 针对不同的瞬态电流脉冲（如 Ipp），D6V3E1U2LP-7B 提供最高的电压限制为 10.5V，确保在极端条件下仍能有效保护电路。
• 峰值脉冲电流 (Ipp): 本产品可以承受高达 25A 的峰值脉冲电流（10/1000µs），适合用于需要承受瞬态电流的应用场景。
• 峰值功率 (Ppp): 该器件的峰值功率可达 300W，进一步增强了其在高能量冲击下的可靠性。
• 高频电容: 在高频下，电容值为 200pF @ 1MHz，其低电容特性设计使得该器件在高速信号中具有良好的性能表现。

适用范围

D6V3E1U2LP-7B 适用于各种电子电路，包括但不限于：

• 电源线路保护
• 信号线保护
• 移动设备
• 消费电子产品
• 计算机外围设备

其高抗冲击能力和小型封装使其成为设计现代电子产品时的首选元器件。

工作条件及环境

D6V3E1U2LP-7B 的工作温度范围为 -65°C 至 150°C，能够在极端环境下稳定工作。这一特点使其适用于广泛的工业应用，以及那些对温度变化敏感的设备。长期的热稳定性和耐久性保证了在极端温度和高热负载条件下的可靠性。

封装及安装

D6V3E1U2LP-7B 采用 0402（1006 公制） 封装，具有小巧的体积和良好的散热性能。表面贴装型的设计使其易于在自动化设备中进行高效组装，满足现代电子制造的高要求。该器件的供应商器件封装为 X1-DFN1006-2，使其适合不同的生产工艺和电路设计。

结论

总体来看，D6V3E1U2LP-7B 是一款功能强大的瞬态抑制二极管，具有优异的电学特性和可靠性。其广泛的应用范围和出色的性能指标，使其成为设计和保护各种电子设备的重要元件。无论是在消费电子、计算设备还是工业应用中，D6V3E1U2LP-7B 都能提供优异的电源和信号保护，确保系统的稳定性和可靠性。