集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 160@10mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.4V@1mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 3V@10mA,0.3V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA | 电阻比率 | 1 |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DDA114TU-7-F 是由美台半导体( Diodes Incorporated )生产的一款高性能双极晶体管。该器件采用SOT-363封装,集成了两个PNP型晶体管,适合在各类数字电路应用中的信号处理和开关控制。这款产品以其高集电极电流能力、低饱和压降和出色的频率特性,成为中低功率应用中的理想选择。
器件类型: DDA114TU-7-F 是一款双PNP预偏置数字晶体管,具有两个独立的晶体管通道,非常适合用于开关和放大应用。
电流和电压规范:
增益特性:
饱和压降:
频率响应:
功率等级:
安装与封装:
DDA114TU-7-F广泛应用于以下领域:
DDA114TU-7-F是美台半导体推出的一款功能强大、性能优异的双PNP数字晶体管,凭借其优秀的增益特性、低饱和压降和高频率响应,适用于多种中小功率应用。在现代电子项目中,无论是开关控制、信号放大还是数字逻辑应用,DDA114TU-7-F均能展现出优异的性能和可靠性。随着电子行业的发展,其资源消耗和体积的优化,使得DDA114TU-7-F不仅是一款效能卓越的元器件,更是一款符合现代设计需求的电子产品。