晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@2.0mA,5.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 15nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 80mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
BC847BLP-7B 是一种高性能的 NPN 型双极型晶体管(BJT),其设计目的是满足广泛的电子应用需求。作为 DIODES(美台) 旗下的产品,这款三极管在提供可靠的电性能、低功耗和优良的温度稳定性方面表现出色,尤其适合用于现代高频和低功耗电路。
工作温度范围: BC847BLP-7B 的工作温度範围在 -55°C 至 150°C 之间,这使得它能够在各种严苛环境中稳定工作,适合于航空航天、汽车电子以及工业控制等应用。
直流电流增益 (hFE): 在 2mA 的基极电流和 5V 的电压下,其最小 DC 电流增益达到 200,展现了该器件在小信号放大方面的优秀性能。
最大电流和电压: 集电极的最大电流(Ic)为 100mA,而集射极的击穿电压(Vceo)不超过 45V,适用于多种电源条件的应用设计。
功率耗散: BC847BLP-7B 的最大功率耗散为 250mW,使其能有效处理大部分小信号与中等信号应用的功率需求。
频率特性: 该晶体管的跃迁频率可达 100MHz,这一高频特性使其适合用于 RF 设计、信号放大以及高速开关电路。
饱和压降: 在 5mA 的基极电流和 100mA 的集电极电流下,最大饱和压降为 600mV,确保了大信号应用中的高效率。
集电极截止电流(ICBO): 最大集电极截止电流仅为 15nA,表明了该器件在待机状态下的极低漏电流,有利于延长电池供电设备的使用寿命。
BC847BLP-7B 采用小型 DFN-3(1x0.6) 表面贴装封装,在空间受限的 PCB 设计中,这一特性极大地提高了布局的灵活性,适合于便携式设备和高密度集成电路的应用。
其广泛的应用场景包括:
BC847BLP-7B 在典型的应用电路中,可以配置为共发射极、共集电极或共基极放大器,具体的电路设计可根据实际需求进行调整。在这些配置中,三极管的 hFE 和饱和压降参数为系统设计提供了关键的性能指标。
BC847BLP-7B 是一种功能性强且具备高性能指标的 NPN 型 BJT,适合在各种电子设备和电路中应用。凭借其优良的电气特性、灵活的封装设计和广泛的工作温度范围,它无疑是电子工程师在设计中不可或缺的重要元器件之一。无论是在工业、通信、消费电子或汽车电子领域,BC847BLP-7B 都可以为产品的性能提供有力支持。