BSS138K-7

BSS138K-7 产品概述

1. 产品简介
BSS138K-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为低功耗应用而设计。其在高频和高效率电源管理、开关电路及信号处理等多个领域均具备良好的应用前景。该产品的最大漏源电压为 50V，连续漏极电流可达 310mA，非常适合用于小型化电子设备和电路中的开关、放大和驱动应用。

2. 关键参数

• FET 类型：N 通道 MOSFET
• 漏源电压（Vdss）：50V
• 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 时可达 310mA
• 最大 Rds On：在 10V 的栅极驱动电压下，220mA 时最大导通电阻为 3.5Ω
• Vgs(th)（阈值电压）：最大值为 1.5V @ 250µA，确保低电压下可靠导通
• 栅极电荷 (Qg)：在 10V 的栅极驱动下最大为 0.95nC，实现快速开关
• 输入电容 (Ciss)：在 25V 时最大值为 23.2pF，适合高速操作
• 最大功率耗散：380mW，适合多种不同功率要求的应用
• 工作温度范围：-55°C 到 150°C，适应恶劣环境，保证器件的稳定性

3. 封装与安装
BSS138K-7 采用 SOT-23 封装，表面贴装型设计，使其在板级集成时占用空间小，利于实现更高密度的电路设计。同时，TO-236-3 和 SC-59 封装选项提升了其在不同应用场景下的兼容性与灵活性。

4. 应用领域
BSS138K-7 的多种特性使其广泛应用于以下领域：

• 电源管理：能够在电源开关和其它电源应用中有效地控制电流流动，提高电源效率。
• 信号放大：在低功耗放大器和信号处理电路中，能够提升信号强度，确保信号完整性。
• 开关应用：作为高效的开关元件，能够实现快速的开关操作，提升系统的响应速度和效率。
• 通信设备：在无线通讯及数据传输中，能够提高数据传输稳定性和速度，适合各种数字信号处理应用。

5. 性能优势
该 MOSFET 的低阈值电压及在相对低的栅电压下的较高导通效率，使其特别适合用于便携式和电池供电设备，降低待机电流和延长电池寿命。此外，广泛的工作温度范围和优秀的功率耗散能力使其能够在各种恶劣环境中不懈工作，确保长期可靠性。

6. 结论
总体而言，BSS138K-7 是一款经济实惠且功能强大的 N 通道 MOSFET，具备极为丰富的应用潜力。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子系统中，该元件均能发挥出优良的性能。其小巧的封装设计、强大的工作范围和优异的电气特性，为设计工程师提供了解决方案，为各种现代电子设计的便捷性与灵活性提供了保障。