类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 75V |
连续漏极电流(Id) | 170A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.3mΩ@10V,75A |
功率(Pd) | 300W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@150uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 170nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 6.92nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 270pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
产品概述:IRFB3207ZPBF N通道MOSFET
IRFB3207ZPBF是一款高性能的N通道MOSFET,专为需要高功率和高电流处理能力的电力电子应用而设计。该器件具有一些卓越的特性,使其在各类电子设备中成为理想选择,尤其是在电源管理、逆变器和电动驱动系统等领域。
漏源电压(Vdss): IRFB3207ZPBF的漏源电压达75V,这使它能够在中高压环境下安全稳定地工作,适合用于需要中等电压的电路。
连续漏极电流(Id): 在25°C的环境温度下,IRFB3207ZPBF能够支持高达120A的连续漏极电流(Tc),即便是在高负载情况下,也能够保持良好的传导性能,确保系统的可靠性。
导通电阻(Rds On): 在10V的栅源电压下,其最大导通电阻为4.1毫欧(@75A),这意味着在传输过程中损耗极低,能够有效提高系统的整体效率并减少发热。
栅极驱动电压(Vgs 最大值): IRFB3207ZPBF可承受高达±20V的栅极驱动电压,提供灵活性以适应不同的控制电路设计。
输入电容(Ciss): 其最大输入电容为6920pF(@50V),这在驱动MOSFET时,能够减少开关损耗,提高工作频率。
栅极电荷(Qg): 最大栅极电荷为170nC(@10V),表示开关速度快,适用于高频应用,能够在要求快速通断的电路中表现出色。
工作温度范围: IRFB3207ZPBF的工作温度范围广泛,从-55°C到175°C,适合各种恶劣环境下的长期运行,为工业和汽车应用提供了充分保证。
功率耗散: 最大功率耗散能力为300W(Tc),使得该器件在高功率应用中具有良好的热管理能力,减少过热导致的失效风险。
封装类型: 采用TO-220AB封装,便于通孔安装,同时提供良好的散热性能,适合热管理需求较高的应用场景。
IRFB3207ZPBF由于其优秀的电气特性,广泛应用于以下几个领域:
电源转换器: 适用于各种DC-DC和AC-DC转换器中,能够提高转换效率并降低能量损耗。
电动汽车: 在电动驱动系统和电池管理系统中,IRFB3207ZPBF作为关键元件,能够处理高电流及高功率的需求。
光伏逆变器: 在光伏系统中用于逆变和功率转换,帮助最大化能量的利用率。
工业自动化和控制系统: 用于电机驱动、变频器和各种自动化设备,保证高效的电能使用。
总之,IRFB3207ZPBF作为一款高品质的N通道MOSFET,以其高电压、高电流、低导通电阻和高功率处理能力,广泛应用于现代电力电子系统中。其优异的电气特性及宽广的工作温度范围,使其在多种应用中都具有不可替代的优势,是设计高效、稳定电源系统的理想选择。无论是在工业领域,还是在新兴的电动汽车和可再生能源市场,IRFB3207ZPBF都将助力更高效的电能转换和管理,为用户带来卓越的性能体验。