DMN61D9UW-13

产品概述：DMN61D9UW-13 N沟道MOSFET

一、基本信息

DMN61D9UW-13是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其设计旨在满足不同电子应用的需求。该元器件由全球知名的半导体制造商DIODES（美台）生产，具有优异的性能和可靠性，适用于多种电力管理和开关应用。

二、规格参数

1. FET 类型：N 通道
2. 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
3. 漏源电压 (Vdss)：60V
4. 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：340mA（工作温度范围内）
5. 驱动电压：最大 Rds On，最小 Rds On为1.8V 和 5V
6. 导通电阻：在不同的漏极电流（Id）与栅极电压（Vgs）下，最大值为2 欧姆 @ 50mA，5V
7. 阈值电压 (Vgs(th))：在250µA时最大值为1V
8. 栅极电荷 (Qg)：在4.5V时最大值为0.4nC
9. Vgs（最大值）：±20V
10. 输入电容 (Ciss)：在30V时最大值为28.5pF
11. 功率耗散（最大值）：320mW（在25°C时）
12. 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（见TJ）
13. 安装类型：表面贴装型
14. 供应商器件封装：SOT-323
15. 封装/外壳：SC-70，SOT-323

三、特性与优点

1. 高效能：DMN61D9UW-13的漏源电压为60V，使其适合用于需要高电压操作的电路，如转换器和DC-DC开关电源。其340mA的最大电流能力使其能够处理多种应用场合。

2. 低导通电阻：该MOSFET在50mA时的最大导通电阻为2欧姆，这一特性保证了在开关状态下的较低功耗，提高了整体能效，适合用于效率要求较高的电源管理系统。

3. 广泛的工作温度范围：其工作温度范围从-55°C到150°C，适合于极端环境下的应用，如工业设备和汽车电子模块，保证了在不同条件下的稳定运行。

4. 极小的驱动电压：当栅极电压为1.8V时，该MOSFET能够达到最小的导通状态，这降低了驱动电路的复杂度，并适配低电压逻辑控制器。

5. 小型封装：采用SOT-323封装，使其在电路板上占据更少的空间，满足对小型化、轻量化电子产品的需求，广泛应用于消费电子产品及便携式设备。

四、应用场景

1. 电源管理：DMN61D9UW-13可以用于各种电源管理电路，包括DC-DC转换器、LED驱动电源和电池充电器，帮助实现高效的电能转换和利用。

2. 开关电路：适合在各种通过FET进行开关控制的电子装置内使用，如电动机驱动、负载开关和保护电路等。

3. 信号切换：该元器件能够用于信号路径切换、音频信号处理和无线通信设备中，确保快速、可靠的信号切换。

4. 汽车电子：适合用于汽车电子控制模块，如智能照明、动力管理系统和传统汽油或电动汽车中的多种控制电路。

五、结论

DMN61D9UW-13 N沟道MOSFET凭借其优越的电气性能、广泛的应用范围以及可靠的工作特性，成为电子设计工程师首选的元器件之一。从电源管理到信号切换，其适用性广泛，表明了该元器件在现代电子产品中不可或缺的角色。选择DMN61D9UW-13，将为您的下一个设计提供卓越的质量和性能保证。