晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 435mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@2.0mA,5.0V | 特征频率(fT) | 170MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 15nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 50mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
BC847BFA-7B是一款高性能的NPN型普通双极型晶体管(BJT),由DIODES(美台)制造。该晶体管专为各种电子应用而设计,具备卓越的电气性能和良好的温度稳定性,通常用于信号放大、开关和线性调节电路中。由于其紧凑的3-XFDFN封装,这款晶体管特别适合于空间受限、高密度布局的现代电子设备。
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic): 最大值 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 45V
Vce饱和压降: 最大值 300mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO)
直流电流增益 (hFE): 最小值 200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值: 435mW
频率 - 跃迁: 170MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳: 3-XFDFN
BC847BFA-7B晶体管被广泛应用于各种领域,包括但不限于:
BC847BFA-7B是一款性价比极高的NPN型双极型晶体管,具备优秀的电气特性和可靠性,适用于多种应用场景,尤其是在要求对空间和功耗有严格限制的设计中。凭借其高增益能力、低功耗特性和宽工作温度范围,它成为了电子工程师在设计高效、可靠电路时的一种理想选择。选择BC847BFA-7B,无疑是在追求性能、可靠性和效率时理智的决策。