集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 集电极电流(Ic) | 500mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 56@50mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 500mV@100uA,5V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 3V@20mA,0.3V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@50mA,2.5mA | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DDTB114EC-7-F是一款高性能的PNP型数字晶体管,专为低功耗和高线性的应用而设计,适用于现代电子产品中的电子开关、信号放大等多个领域。该器件的设计考虑到频率响应、功耗要求和表面贴装技术(SMD),使其成为一款理想的选型。
晶体管类型:
电流与电压规格:
增益与饱和压降:
截止电流:
频率响应:
功耗与功率规格:
封装与安装类型:
DDTB114EC-7-F广泛应用于多种电子应用场景:
DDTB114EC-7-F凭借其高性能参数、广泛的应用范围及出色的可靠性,成为许多设计工程师的首选。它的易于集成与良好的性能指标使其在市场中具备显著的竞争优势。
总之,DDTB114EC-7-F是一款兼具高性能和高集成度的PNP数字晶体管,能够有效满足现代电子设备对高频率、低功耗及小型化的需求。其多样的应用场景与出色的产品特点,使其在电子设计行业中具有重要地位。选择DDTB114EC-7-F,能够帮助工程师在设计中高效解决各种性能需求,提升产品竞争力。无论是在消费、工业还是通信领域,它都将是一个值得信赖的组件选择。