DDTB114EC-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DDTB114EC-7-F

商品编码: BM0000745238
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个PNP-预偏置 SOT-23
库存 :
2756(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.379
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.379
--
200+
¥0.244
--
1500+
¥0.212
--
3000+
¥0.188
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTB114EC-7-F参数

集射极击穿电压(Vceo)40V集电极电流(Ic)500mA
功率(Pd)200mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)56@50mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)500mV@100uA,5V最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)3V@20mA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@50mA,2.5mA工作温度-55℃~+150℃

DDTB114EC-7-F手册

DDTB114EC-7-F概述

产品概述:DDTB114EC-7-F

一、概述

DDTB114EC-7-F是一款高性能的PNP型数字晶体管,专为低功耗和高线性的应用而设计,适用于现代电子产品中的电子开关、信号放大等多个领域。该器件的设计考虑到频率响应、功耗要求和表面贴装技术(SMD),使其成为一款理想的选型。

二、主要规格

  1. 晶体管类型:

    • DDTB114EC-7-F属于PNP-预偏置类型,适合于各种数字电路和模拟电路应用。
  2. 电流与电压规格:

    • 集电极最大电流(Ic):500mA,满足高负载持续工作的需求。
    • 集射极击穿电压(Vce最大值):50V,适用于较高的工作电压环境,在多种电源条件下运作稳定。
  3. 增益与饱和压降:

    • 在特定条件下(Ic=50mA,Vce=5V),其DC电流增益(hFE)最小值为56,能够保证良好的信号放大能力。
    • Vce饱和压降在指定的集电极电流下(2.5mA至50mA)最大为300mV,确保在开关状态下的能耗最低。
  4. 截止电流:

    • 集电极截止电流(Ic(max)):500nA,适合低功耗特性,帮助降低电池供电设备的能耗。
  5. 频率响应:

    • 工作频率高达200MHz,提升了对快速开关应用的响应能力,适应现代高速电子通信的需求。
  6. 功耗与功率规格:

    • 最大功率额定值为200mW,适合于多种高功率应用,确保了在高负载下的稳定工作。
  7. 封装与安装类型:

    • DDTB114EC-7-F采用SOT-23封装,体积小,适合于表面贴装组装,在空间有限的场合表现优异。其紧凑型设计使得在现代电子电路中更便于集成、布局。

三、应用场景

DDTB114EC-7-F广泛应用于多种电子应用场景:

  • 消费电子产品: 电视、音响及其他家用电器中,常用作开关和放大器。
  • 通信设备: 适合用于基站和通信模块,凭借其高频率特性满足不同信号传输要求。
  • 工业控制: 用于工业自动化设备、传感器接口及控制电路,保证高可靠性与稳定性。
  • 电源管理: 可用作电源开关,调节电压和电流,提升整个设备的能效。

四、竞争优势

DDTB114EC-7-F凭借其高性能参数、广泛的应用范围及出色的可靠性,成为许多设计工程师的首选。它的易于集成与良好的性能指标使其在市场中具备显著的竞争优势。

五、总结

总之,DDTB114EC-7-F是一款兼具高性能和高集成度的PNP数字晶体管,能够有效满足现代电子设备对高频率、低功耗及小型化的需求。其多样的应用场景与出色的产品特点,使其在电子设计行业中具有重要地位。选择DDTB114EC-7-F,能够帮助工程师在设计中高效解决各种性能需求,提升产品竞争力。无论是在消费、工业还是通信领域,它都将是一个值得信赖的组件选择。