晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 4A |
集射极击穿电压(Vceo) | 25V | 功率(Pd) | 1.6W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 195@2A,2V | 特征频率(fT) | 135MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 300pA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 140mV@1A,7mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FZT1149ATA 是由 Diodes Incorporated 制造的一款高性能 PNP 型晶体管,专为高效电源管理和开关应用设计。该器件以其卓越的电流承载能力、快速的开关速度和优良的热管理特性,成为各种电子设备中的理想选择。
FZT1149ATA 的高电流和低饱和压降特性,使其广泛应用于以下领域:
FZT1149ATA 具有广泛的工作温度范围,从极低的 -55°C 到高达 150°C,适用于高温和低温工作环境。这一特点使得该器件在严苛的工业环境、汽车电子及航空航天等领域具有极强的适应性。
该晶体管采用 SOT-223 封装,适合表面贴装,具有节省板空间和易于自动化生产的优点,特别适合现代电子设备的高密度设计需求。
FZT1149ATA 由 Diodes Incorporated 制造,是一款适合多种应用的高效 PNP 晶体管。凭借其高电流承载能力、优越的工作特性和出色的环境适应性,这款晶体管无疑是设计工程师和技术开发人员的理想选择。无论是在工业、消费电子、汽车或是商业设备中,FZT1149ATA 都能够提供可靠的性能支持和高效能的解决方案。