晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 3A |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 3W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@1A,2V | 特征频率(fT) | 175MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@1A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述
FZT651TC 是一款高性能的 NPN 双极型晶体管,广泛应用于各种电子电路中。这种元器件由知名厂商 DIODES(美台)制造,采用了表面贴装型设计,封装形式为 SOT-223,方便集成到现代小型电子设备中。其出色的电气特性和高频性能,使其在功率放大器、开关电源及其他高效电子应用中表现优异。
基本特性
FZT651TC 的最大集电极电流(Ic)可达到 3A,适合大多数高电流应用。其最大集射极击穿电压(Vceo)可达到 60V,提供了良好的过载保护,确保器件在高电压环境中可靠运行。在开关状态下(高电流条件下),其饱和电压(Vce(sat))最大为 600mV(300mA 和 3A 条件下),这使得它在驱动负载时能够有效节能,提高电路的整体效率。
当进行集电极截止电流测量时,FZT651TC 的最大值达到了 100nA,这表明该元器件在关闭状态下的漏电流极低,能够确保更高的电路稳定性和可靠性。
增益特性
FZT651TC 提供了出色的直流电流增益(hFE),在 500mA 和 2V 施加电压条件下,其最小值可达到 100。这一特性极大地增强了器件在放大应用中的有效性,尤其是在需要信号放大与切换的场合。FZT651TC 结合其高增益特性,可以轻松驱动更高功率的负载,广泛应用于放大器以及开关应用中。
工作频率和温度范围
该晶体管具有 175MHz 的高频跃迁频率,使其在 RF 设计和高频信号相关的应用中表现优良。无论是信号放大还是开关控制,这一高频特性都是至关重要的。同时,FZT651TC 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,能够适应各类严苛的工作环境,尤其适合航空航天和工业自动化等高温或低温环境下使用。
封装和安装
FZT651TC 的 SOT-223 封装提供了一种紧凑的解决方案,节省了电路板空间,尤其适合高密度的表面贴装应用。表面贴装型设计使得它在现代电子产品中易于集成,并有助于提高生产效率。该封装的热管理性能也非常良好,使得功率损耗在可控范围内。
应用领域
基于以上诸多特性,FZT651TC 可广泛应用于多种不同的领域,包括但不限于:
总结
FZT651TC 是一款灵活多样、高性能的 NPN 双极型晶体管,适合多种电子设计的需求。凭借其优越的电流和电压特性、出色的增益、宽广的工作温度范围以及紧凑的 SOT-223 封装,使其成为电子工程师在设计现代电子产品时的一种理想选择。