BAS85-GS08 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BAS85-GS08

商品编码: BM0000745333
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOD-80 MiniMELF
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
肖特基二极管 800mV@100mA 30V 2uA@25V 200mA MiniMELF
库存 :
3628(起订量1,增量1)
批次 :
25+
数量 :
X
0.403
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.403
--
100+
¥0.252
--
1250+
¥0.219
--
2500+
¥0.192
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

BAS85-GS08参数

正向压降(Vf)800mV@100mA直流反向耐压(Vr)30V
整流电流200mA反向电流(Ir)2uA@25V

BAS85-GS08手册

BAS85-GS08概述

BAS85-GS08 产品概述

BAS85-GS08 是一款高性能的肖特基二极管,广泛应用于各种电子电路中,该产品由全球知名的电子元器件制造商 VISHAY(威世)提供。此款二极管以其低正向压降、高速开关特性和小型化封装而受到工程师的青睐,尤其适用于需要快速开关和低功耗的应用场景,如整流电路、信号整形、调制解调器电路等。

关键规格

  • 电气特性

    • 正向电压(Vf):BAS85-GS08 在100mA的工作条件下,具有800mV的正向电压。这一特性使得该二极管在功率损耗方面表现优越,适合于要求高效率的应用。
    • 反向电压(Vr):最大反向电压为30V,保证了其在许多应用中的可靠性。
    • 平均整流电流(Io):该二极管支持200mA的平均整流电流,足以满足大多数日常应用需求。
    • 反向泄漏电流:在25V的反向电压下,其反向泄漏电流仅为2µA,这一特性对于延长设备的电池寿命及保障电路稳定性至关重要。
  • 频率特性

    • BAS85-GS08 在1MHz条件下,其电容约为10pF,说明其在高速信号传输方面的良好表现,非常适合用于高频率的通信电路。
  • 动态特性

    • 反向恢复时间(trr)为5ns,这使得它在高频开关电路中优于传统的PN结构二极管,能够减少开关损耗并提升效率。
  • 工作温度

    • 该产品的结温工作范围为-55°C到125°C,使其在各种苛刻环境下也能稳定工作,极大地增强了产品的应用灵活性。

封装信息

BAS85-GS08 的封装采用 SOD-80 MiniMELF 型式,属于表面贴装型元件。这种封装结构不仅适合于自动化生产,还能够在有限的PCB空间内节省占用,提高了系统的整体集成度。

应用领域

BAS85-GS08 是一款非常适合用于:

  • 电源管理:在电源的整流和保护电路中,能够有效降低功耗,提高传输效率。
  • 高速开关电路:其快速恢复特性,尤其适合集成电路中的开关应用。
  • 信号处理:在 RF(射频)应用中表现出色,能够在高频条件下保持线性。
  • 通讯设备:在调制解调器和其他通信设备中,可用于信号整形和保护功能。

总结

BAS85-GS08 是一款以高性能、高效率为优势的肖特基二极管,适用于各类电子设备与电路中。其优异的电气特性、封装设计和工作温度范围使得它能够在多种苛刻环境中表现卓越,满足现代电子产品对可靠性和效率的高要求。凭借 VISHAY(威世)的品牌信誉和技术支持,BAS85-GS08 将继续为工程师们提供信赖的选择,助力各种创新应用的发展。