晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 2A |
集射极击穿电压(Vceo) | 32V | 功率(Pd) | 1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 82@500mA,3V | 特征频率(fT) | 220MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@2A,200mA |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
2DD1766P-13是由美台(DIODES)品牌生产的一款高性能NPN晶体管,封装类型为SOT-89-3,广泛应用于各种电子电路中。这种晶体管设计用于低功耗与高频率的应用场景,具有优良的电流增益和较低的饱和压降,适合在严苛的工作环境下稳定运行。
2DD1766P-13的主要技术参数包括:
由于其出色的性能,2DD1766P-13晶体管适用于多个应用场景,包括但不限于:
总的来说,2DD1766P-13是性能优越的NPN晶体管,具有可靠的电气性能和宽广的应用范围。无论是在通信技术、音频设备,还是电源管理电路中,这款晶体管都能发挥其潜力。其严格的规格和高温度容忍度使其成为设计工程师的重要选择,以满足目前市场对高性能电子元件的需求。选用2DD1766P-13能够帮助您在产品设计中实现更高的效率与性能,提升您的最终产品的市场竞争力。