类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 95mΩ@10V,2.5A |
功率(Pd) | 650mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@3.8A |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.1nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 254pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 7pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP3125L-13 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,具备超低导通电阻和高速开关能力,适用于多种电源管理和开关控制应用。该器件由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)生产,采用 SOT-23 表面贴装封装,符合广泛应用的尺寸需求。
DMP3125L-13 的功能特性使其适用于多种应用,包括但不限于:
DMP3125L-13 采用 SOT-23 封装,具有小尺寸和低空间占用特点,尤其适合紧凑型电路设计。其表面贴装形式大大简化了安装过程,适应现代表面贴装技术(SMT)。
作为一款多功能、高性能的 P 通道 MOSFET,DMP3125L-13 在多种电子应用中展现出其处理高电流、高电压的能力,且具有极低的导通电阻及快速开关特性。其宽广的工作温度范围和有效的功率管理让其成为需求多样、环境要求严格的应用中的理想选择。无论是电源管理,还是开关控制,DMP3125L-13 都能满足设计师对高可靠性和高效率的追求。