晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 150@100mA,2V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@100mA,5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DSS3540M-7B是一款由Diodes Incorporated制造的高性能PNP型双极型晶体管(BJT),采用卷带(TR)包装,适合表面贴装(SMD)应用。该器件旨在满足诸多电子设备中的低功耗、高效率需求,适用于各种信号开关和放大电路。
DSS3540M-7B的广泛适用性使其可以在多个领域中发挥重要作用,以下是几个主要应用场景:
DSS3540M-7B采用3-UFDFN (X1-DFN1006-3)封装,尺寸轻巧,便于在空间有限的电路板中安装。该封装设计有助于提高散热性能,确保在高功率工作条件下仍能维持较低的工作温度,是现代电子设备设计中提高集成度和功能性的重要选择。
DSS3540M-7B由Diodes Incorporated制造,凭借其出色的电气特性、广泛的工作温度范围及多样化的应用场景,成为了设计人员在晶体管选择上的优先选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,该器件都能够提供卓越的性能与可靠性,是现代电子设计中不可或缺的重要元器件。