DMP31D7LDW-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMP31D7LDW-7

商品编码: BM0000745444
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1个P沟道 SOT-363
库存 :
4259(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.544
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.544
--
200+
¥0.351
--
1500+
¥0.305
--
3000+
¥0.27
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP31D7LDW-7参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)580mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.7Ω@4.5V,0.2A
功率(Pd)430mW阈值电压(Vgs(th)@Id)2.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)360pC输入电容(Ciss@Vds)19pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)3pF@15V工作温度-55℃~+150℃

DMP31D7LDW-7手册

DMP31D7LDW-7概述

DMP31D7LDW-7 产品概述

基本信息

DMP31D7LDW-7 是一种高性能双 P 沟道场效应管 (MOSFET),由 DIODES(美台)公司生产,采用 SOT-363 封装。该器件专为要求高电流控制和高效率开关的应用而设计,具有优良的导通性能和可靠的工作温度范围,适合各种电子电路中的电源管理和信号开关。

主要参数

  • FET 类型:双 P 沟道 (2P)
  • FET 功能:标准功能
  • 25°C连续漏极电流 (Id):550mA
  • 最大导通电阻 (Rds(on)):900mΩ @ 420mA, 10V
  • Vgs(th) 值:最大 2.6V @ 250μA
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装类型:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

性能特点

DMP31D7LDW-7 的 P 沟道设计使其在电源反相和电源切换应用中表现出色。其低导通电阻特性 (Rds(on)) 使得在高电流条件下的功耗最小化,从而提高了系统的整体效率,这在便携式电子设备中尤其重要。该 MOSFET 的 Vgs(th)(门源极阈值电压)值为 2.6V,具有良好的开关特性,能够轻松驱动各种负载。

应用场景

DMP31D7LDW-7 可广泛应用于各种电子产品和设备中,包括:

  1. 电源管理:在 DC-DC 转换器中,作为开关元件和控制元件,提供有效的电压调节。
  2. 电源切换:用于电源的开关控制,尤其是在需要低操控电压的场合。
  3. 负载开关:在主动负载连接和断开过程中,确保电路安全且高效。
  4. 音频和信号开关:用于音频线路中的开关,提供低噪声和高保真度的信号处理。

温度和可靠性

考虑到 DMP31D7LDW-7 的优异工作温度范围(-55°C ~ 150°C),使其适用于极端环境条件,适合汽车电子、工业控制以及高温应用。这种耐高温的特性确保了在严苛工作条件下也能保持长时间稳定运行,提高了产品的可靠性和耐用性。

安装与封装

SOT-363 封装的设计对于表面贴装技术(SMT)非常友好,便于快速、大规模的自动化生产和装配。该封装还具有良好的散热性能,可以有效降低器件的工作温度,提高了电路的安全性。

总结

DMP31D7LDW-7 是一种功能强大、可靠的双 P 沟道 MOSFET,适用于多种电源管理和信号开关的应用场景。其卓越的导通性能、广泛的工作温度范围及 SOT-363 封装设计使其成为现代电子产品中不可或缺的组件。生产企业 DIODES(美台)致力于提供高质量的半导体产品,保障客户在各种应用中实现长期、高效的解决方案。选择 DMP31D7LDW-7 将会在设计中带来更高效、更可靠的性能体验。