类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 580mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.7Ω@4.5V,0.2A |
功率(Pd) | 430mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.6V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 360pC | 输入电容(Ciss@Vds) | 19pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP31D7LDW-7 是一种高性能双 P 沟道场效应管 (MOSFET),由 DIODES(美台)公司生产,采用 SOT-363 封装。该器件专为要求高电流控制和高效率开关的应用而设计,具有优良的导通性能和可靠的工作温度范围,适合各种电子电路中的电源管理和信号开关。
DMP31D7LDW-7 的 P 沟道设计使其在电源反相和电源切换应用中表现出色。其低导通电阻特性 (Rds(on)) 使得在高电流条件下的功耗最小化,从而提高了系统的整体效率,这在便携式电子设备中尤其重要。该 MOSFET 的 Vgs(th)(门源极阈值电压)值为 2.6V,具有良好的开关特性,能够轻松驱动各种负载。
DMP31D7LDW-7 可广泛应用于各种电子产品和设备中,包括:
考虑到 DMP31D7LDW-7 的优异工作温度范围(-55°C ~ 150°C),使其适用于极端环境条件,适合汽车电子、工业控制以及高温应用。这种耐高温的特性确保了在严苛工作条件下也能保持长时间稳定运行,提高了产品的可靠性和耐用性。
SOT-363 封装的设计对于表面贴装技术(SMT)非常友好,便于快速、大规模的自动化生产和装配。该封装还具有良好的散热性能,可以有效降低器件的工作温度,提高了电路的安全性。
DMP31D7LDW-7 是一种功能强大、可靠的双 P 沟道 MOSFET,适用于多种电源管理和信号开关的应用场景。其卓越的导通性能、广泛的工作温度范围及 SOT-363 封装设计使其成为现代电子产品中不可或缺的组件。生产企业 DIODES(美台)致力于提供高质量的半导体产品,保障客户在各种应用中实现长期、高效的解决方案。选择 DMP31D7LDW-7 将会在设计中带来更高效、更可靠的性能体验。