晶体管类型 | NPN+PNP | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 12V | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 270@10mA,2V | 特征频率(fT) | 320MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 90mV@200mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概览
UMZ7NTR 是 ROHM(罗姆)公司推出的一款高性能 NPN 和 PNP 型双极型晶体管(BJT)。该元器件以其优异的电流增益、高频特性和耐高温能力,广泛应用于各种电子电路设计中,尤其适用于信号放大和开关控制等场景。其设计兼顾了功率与效率,能够满足现代电子产品对性能与可靠性的严格要求。
基本参数
UMZ7NTR 的集电极电流(Ic)最大值为 500mA,适合于中功率应用。其集射极击穿电压(Vce)的最大值为 12V,这使得该器件在较低的电压要求下,依然能保持良好的工作性能。在该器件工作的过程中,其饱和压降(Vce(sat))在不同的工作条件下也表现出色,在 10mA 和 200mA 的情况下,饱和压降最大值分别为 250mV 和 200mV,从而有效降低了功耗。
此外,UMZ7NTR 的集电极截止电流(ICBO)最大值为 100nA,这意味着在关断状态下消耗的电流极微,加之其在流经一定范围电流时的 DC 电流增益(hFE)最小值为 270,使得该器件在放大电流时具备出色的效率,确保信号的高保真传输。
工作频率
UMZ7NTR 的频率范围非常广,从 260MHz 到 320MHz,满足高频信号处理的需求。这样的性能使其特别适合在 RF(射频)电路和高速信号放大器中应用,能够有效地提高整体电路的工作效率与稳定性。
高温性能
UMZ7NTR 的工作温度可达到 150°C(TJ),使其在高温环境下依然能够稳定工作。这样的特性对于以散热性能为重点的应用场景特别重要,如汽车电子设备、工业控制系统等领域,在高温环境下可以减少因温度升高而导致的产品故障。
封装设计
UMZ7NTR 的封装类型为表面贴装型(SMD),封装形式为 UMT6(6-TSSOP,SC-88,SOT-363),适合于高密度的电路板设计。这种封装方式能够有效缩减板块面积,并提升电路的整体集成度。其小巧的体积也使得其在便携式设备和小型电子产品中表现优异。
应用领域
UMZ7NTR 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
总结
凭借其杰出的电气性能和耐高温特性,UMZ7NTR 不仅提高了电子设备的工作效率和可靠性,更因其紧凑的尺寸以及高频特性而在行业中脱颖而出。无论是在信号放大、开关控制,还是在各种高温应用中,UMZ7NTR 均展现出色的适应性与稳定性,成为了现代电路设计中的重要元件。对于任何寻求高性能、低功耗解决方案的电子设计工程师而言,UMZ7NTR 都是一个值得考虑的理想选择。