晶体管类型 | NPN+PNP | 集电极电流(Ic) | 200mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 350mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@10mA,1V | 特征频率(fT) | 300MHz;250MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 120mV@50mA,5mA;165mV@50mA,5mA |
PMBT3946YPN,115 是由Nexperia USA Inc.制造的一款高性能双极性晶体管(BJT),适用于多种低功耗电子应用。该器件支持NPN和PNP类型的工作模式,能够在多种电路环境中提供可靠的性能。其结构紧凑,采用表面贴装型(SMD)封装,适合现代电子设备对空间的严格要求。
PMBT3946YPN,115广泛应用于以下几个领域:
PMBT3946YPN,115采用SOT-363封装(6-TSSOP),这种紧凑的表面贴装设计使其能够轻松集成到密集的电路板中。该封装支持自动化贴片装配,降低了生产成本并提高了生产效率,适合大规模生产需求。
器件的工作温度可达150°C(TJ),在各种环境因素下依然能保持稳定性。适应更高的工作温度,使其在严苛的工业环境下也能够可靠工作。
PMBT3946YPN,115凭借其卓越的电参数、高可靠性和多种应用场景,成为了一款非常优秀的双极晶体管。在设计现代低功耗、高性能电子产品时,选用PMBT3946YPN,115将是一个理智的选择。对于工程师来说,无论是在快速原型制作还是在量产阶段,Nexperia提供的这一元件都是确保产品性能和稳定性的理想之选。