PMBT3946YPN,115 产品实物图片
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PMBT3946YPN,115

商品编码: BM0000753102
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT363-6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 350mW 40V 200mA NPN+PNP SOT-363
库存 :
9303(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.238
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.238
--
200+
¥0.154
--
1500+
¥0.134
--
3000+
¥0.119
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMBT3946YPN,115参数

晶体管类型NPN+PNP集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V功率(Pd)350mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@10mA,1V特征频率(fT)300MHz;250MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)120mV@50mA,5mA;165mV@50mA,5mA

PMBT3946YPN,115手册

PMBT3946YPN,115概述

产品概述:PMBT3946YPN,115

概要

PMBT3946YPN,115 是由Nexperia USA Inc.制造的一款高性能双极性晶体管(BJT),适用于多种低功耗电子应用。该器件支持NPN和PNP类型的工作模式,能够在多种电路环境中提供可靠的性能。其结构紧凑,采用表面贴装型(SMD)封装,适合现代电子设备对空间的严格要求。

主要特性

  • 电流能力:PMBT3946YPN,115 的集电极电流(Ic)最大为200mA,能够满足较大功率的需求。
  • 耐压能力:具备高达40V的集射极击穿电压,确保器件在高电压环境下工作时的稳定性。
  • 饱和压降:在5mA和50mA的不同工作模式下,器件表现出300mV和400mV的饱和压降,确保了低功耗的同时,保持了信号的完整性。
  • 低截止电流:具有50nA的集电极截止电流(ICBO),保证了在静态条件下的优良性能,适用于低功耗应用。
  • DC电流增益:在10mA和1V的标准测试条件下,提供最小100的直流电流增益(hFE),使其在放大应用中表现出色。
  • 功耗:最大功率消耗为350mW,适合处理高频率和高负载条件下的应用。
  • 频率响应:支持高达300MHz的频率跃迁,符合高频信号处理需求,非常适用于RF和高速数字电路。

应用场景

PMBT3946YPN,115广泛应用于以下几个领域:

  1. 信号放大:由于其高电流增益和良好的频率特性,非常适合类比信号的放大电路。
  2. 开关电路:由于其优良的饱和特性,该器件可作为开关控制元件,广泛应用于各种开关电源和驱动电路。
  3. 射频应用:其高频性能使其成为射频和无线通讯电路中理想的选择。
  4. 微控制器接口:在微控制器的输入输出(I/O)端,PMBT3946YPN,115能够有效地缓冲和放大信号,增强驱动能力。

封装与安装

PMBT3946YPN,115采用SOT-363封装(6-TSSOP),这种紧凑的表面贴装设计使其能够轻松集成到密集的电路板中。该封装支持自动化贴片装配,降低了生产成本并提高了生产效率,适合大规模生产需求。

温度范围

器件的工作温度可达150°C(TJ),在各种环境因素下依然能保持稳定性。适应更高的工作温度,使其在严苛的工业环境下也能够可靠工作。

结论

PMBT3946YPN,115凭借其卓越的电参数、高可靠性和多种应用场景,成为了一款非常优秀的双极晶体管。在设计现代低功耗、高性能电子产品时,选用PMBT3946YPN,115将是一个理智的选择。对于工程师来说,无论是在快速原型制作还是在量产阶段,Nexperia提供的这一元件都是确保产品性能和稳定性的理想之选。