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PMBT3946YPN,115

- 商品编码: BM0000753102复制
- 品牌: Nexperia(安世)复制
- 封装: TSSOP-6(SOT-363)复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.022g复制
- 描述: 三极管(BJT) 350mW 40V 200mA NPN+PNP复制
PMBT3946YPN,115参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 特征频率(fT) | 300MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
PMBT3946YPN,115手册
PMBT3946YPN,115概述
产品概述:PMBT3946YPN,115
概要
PMBT3946YPN,115 是由Nexperia USA Inc.制造的一款高性能双极性晶体管(BJT),适用于多种低功耗电子应用。该器件支持NPN和PNP类型的工作模式,能够在多种电路环境中提供可靠的性能。其结构紧凑,采用表面贴装型(SMD)封装,适合现代电子设备对空间的严格要求。
主要特性
- 电流能力:PMBT3946YPN,115 的集电极电流(Ic)最大为200mA,能够满足较大功率的需求。
- 耐压能力:具备高达40V的集射极击穿电压,确保器件在高电压环境下工作时的稳定性。
- 饱和压降:在5mA和50mA的不同工作模式下,器件表现出300mV和400mV的饱和压降,确保了低功耗的同时,保持了信号的完整性。
- 低截止电流:具有50nA的集电极截止电流(ICBO),保证了在静态条件下的优良性能,适用于低功耗应用。
- DC电流增益:在10mA和1V的标准测试条件下,提供最小100的直流电流增益(hFE),使其在放大应用中表现出色。
- 功耗:最大功率消耗为350mW,适合处理高频率和高负载条件下的应用。
- 频率响应:支持高达300MHz的频率跃迁,符合高频信号处理需求,非常适用于RF和高速数字电路。
应用场景
PMBT3946YPN,115广泛应用于以下几个领域:
- 信号放大:由于其高电流增益和良好的频率特性,非常适合类比信号的放大电路。
- 开关电路:由于其优良的饱和特性,该器件可作为开关控制元件,广泛应用于各种开关电源和驱动电路。
- 射频应用:其高频性能使其成为射频和无线通讯电路中理想的选择。
- 微控制器接口:在微控制器的输入输出(I/O)端,PMBT3946YPN,115能够有效地缓冲和放大信号,增强驱动能力。
封装与安装
PMBT3946YPN,115采用SOT-363封装(6-TSSOP),这种紧凑的表面贴装设计使其能够轻松集成到密集的电路板中。该封装支持自动化贴片装配,降低了生产成本并提高了生产效率,适合大规模生产需求。
温度范围
器件的工作温度可达150°C(TJ),在各种环境因素下依然能保持稳定性。适应更高的工作温度,使其在严苛的工业环境下也能够可靠工作。
结论
PMBT3946YPN,115凭借其卓越的电参数、高可靠性和多种应用场景,成为了一款非常优秀的双极晶体管。在设计现代低功耗、高性能电子产品时,选用PMBT3946YPN,115将是一个理智的选择。对于工程师来说,无论是在快速原型制作还是在量产阶段,Nexperia提供的这一元件都是确保产品性能和稳定性的理想之选。
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