PSMN7R5-30MLDX

PSMN7R5-30MLDX 产品概述

概述

PSMN7R5-30MLDX 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，该器件专为高效电源管理与开关应用而设计，具备良好的热性能和高电流处理能力。其额定工作参数使其在众多应用场景中都表现出色，充分满足现代电子产品对高效能和小型化的需求。

关键参数

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 器件状态: 有源
• FET 类型: N 通道
• 封装类型: LFPAK33，符合 SOT-1210 封装标准
• 驱动电压: 适用的栅极驱动电压为 4.5V 和 10V
• 连续漏极电流 (Id): 57A（在 Tc 的情况下）
• 导通电阻 (Rds On): 最大值为 7.6 毫欧，适用于 15A 和 10V 的驱动电压
• 漏源电压 (Vdss): 30V
• 功率耗散: 最大功率耗散为 45W（在 Tc 条件下）
• 工作温度范围: 从 -55°C 至 175°C，满足严苛的环境条件
• 栅极电压 (Vgs): 最大值为 ±20V
• 导通电压阈值 (Vgs(th)): 最大值为 2.2V @ 1mA
• 栅极电荷 (Qg): 11.3nC @ 10V，确保快速开关性能
• 输入电容 (Ciss): 最大值为 655pF @ 15V

应用领域

PSMN7R5-30MLDX 适用于多种应用，尤其是在电源转换和电机控制等领域。由于其高连续电流能力和低导通电阻特性，该 MOSFET 可以有效减少开关损耗，从而提高整体能量效率，适合用于：

• DC-DC 转换器
• 合成电源管理 IC
• 电机驱动器
• LED 驱动电源
• 逆变器和电源分配设备

性能优势

1. 高电流处理能力: PSMN7R5-30MLDX 能够承受高达 57A 的连续漏电流，使其适用于高功率应用，同时也降低了整体设计的复杂性。

2. 优良的热管理: 该器件具有出色的功率耗散能力（最高可达 45W），在高低温环境下的可靠性表现良好，特别适合在温度波动大的环境中使用。

3. 低导通电阻: 最大导通电阻为 7.6 毫欧，可以显著降低在高电流下的功耗，从而提升整体的效率。

4. 高可靠性和耐用性: 工作温度范围广（-55°C ~ 175°C）保证了器件在极端条件下的持久稳定性。

5. 快速开关性能: 较小的栅极电荷与输入电容使得 PSMN7R5-30MLDX 临界优于快速开关性能，能有效减少开关过程中产生的损耗。

结论

PSMN7R5-30MLDX 是一种能够在各种高效电源转换和电机控制应用中表现卓越的 MOSFET。其卓越的电气特性和广泛的工作条件适应性，使其成为设计师在构建高效能、可靠性和经济性的电子产品时的首选器件。无论是在工业设备、消费电子还是汽车电子领域，PSMN7R5-30MLDX 都能够有效满足复杂应用的需求，助力用户实现更高的效能和性能目标。