类型 | 2个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 7.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 24mΩ@10V,7.1A |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.25nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 175pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
AO4813 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),其设计旨在提供出色的电气性能,适合在各种电子应用中使用。作为一款双管结构的 MOSFET,AO4813 具有低导通电阻和宽工作温度范围,使其在功率管理和开关应用中表现优异。
AO4813 采用表面贴装型封装(SO-8),其引脚布局便于在高密度 PCB 中焊接,对空间要求较高的应用尤为适合。该器件的连续漏极电流(Id)为 7.1A,最大漏源电压(Vdss)可达 30V,结合其最大功率额定值2W,使其能够满足多种应用的需求。
AO4813 具有 excellent 导通电阻性能,在 7.1A 和 10V 条件下,最大导通电阻仅为 25 毫欧,这意味着在驱动较高电流时,器件的能量损耗非常低,可以有效提高系统的整体效率。此外,在 15V 的工作条件下,其输入电容(Ciss)最大值为 1250pF,确保了快速的开关响应,适用于高速开关电路。
关于栅极控制,AO4813 的栅极电荷(Qg)在 10V 时的最大值为 19nC,确保合理的开关效率。其阈值电压(Vgs(th))在 250µA 条件下的最大值为 2.5V,这使得该 MOSFET 能够在逻辑电平下轻松开启,适应现代逻辑电平驱动的需求。
AO4813 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,保证在极端环境下的可靠运行。这一特性使得其非常适合用于汽车电子、工业设备以及航空航天等对温度稳定性有高要求的领域。
由于其低导通电阻以及较高的电流承载能力,AO4813 被广泛应用于:
AO4813 是一款性能卓越的 P 沟道 MOSFET,凭借其出色的电气特性和宽广的应用范围,它成为设计师在电源管理和开关控制领域中的得力助手。无论是高效的电能转换,还是可靠的信号处理,AO4813 均能提供优异的性能和稳定的工作特性。对于需要高效能和小型化设计的电子项目,AO4813 是一个值得考虑的理想选择。